در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

موجبرهای mim به علت هدایت پلاسمون های سطحی در سطح مقطع فلز-دی الکتریک ساختارهای بسیار مهمی در ادوات پلاسمونیکی هستند. در سال های اخیر این ساختارها محبوبیت زیادی در میان محققین بدست آورده اند چراکه این موجبرها نه تنها از انتشار مدهای با طول موج بسیار کوچک و با سرعت گروهی بالا پشتیبانی می کنند، بلکه توانایی هدایت موج تا فواصل نسبتا بالا را از خود نشان می دهند. ترکیب این موجبرها با نانوتشدیدگرهایی...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

تأثیر انواع مواد هادی و دی الکتریک مختلف در دو پارامتر ذکر شده برای موجبر گوبائو اصلاح شده مورد بررسی قرار گرفته است، بطوریکه یک بار با تغییر دادن جنس فلز (مس، آلومینیوم و تنگستن) و ثابت نگه داشتن جنس دی الکتریک (تفلون) و بار دیگر با تغییر دادن جنس دی الکتریک (تفلون، پلی استر و پلی آمید) و ثابت نگه داشتن جنس فلز (مس) مورد بررسی قرار گرفته است که تنگستن از میان سه فلز منتخب و پلی آمید از بین سه ...

در این رساله با شبیه سازی سه بعدی نشان داده شده است که انتشار پرتو در موجبرهای پلاسمون-پلاریتون سطحی بارگذاری شده با دی الکتریک در مقایسه با موجبرهای کاملأ دی الکتریک (همراه با بستر دی الکتریک) عملکرد بهتری دارد. شبیه سازی انجام شده نشان داده است که بهترین ابعاد برای چنین موجبرهایی، عرض و ضخامت 600 نانومتر می¬باشد که در طول موج 1/55 میکرومتر بهترین عملکرد را دارد. در ساختارهای دوتایی چنین موجبر...

در این پایان نامه موجبرهای پلاسمونی که در آن موج در مرز پلاسمون-دی الکتریک منتشر می شود، معرفی شده است و سپس امکان کار آنها در ناحیه غیر خطی مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور پلاسمون خطی و دی الکتریک غیرخطی در نظر گرفته می شود. در نهایت مساله تحلیل موجبر پلاسمونی غیرخطی غیرایزوتروپیک (موجبر مگنتو-پلاسمونی) بیان می گردد.

تکنیک ساده اندازه گیری موجبری جهت تعیین ثابت مختلط مواد دی الکتریک ارائه شده است .نمونه دی الکتریک بار شده در فرکانس باند x بارگذاری میشود. با استفاده از یک تحلیلگر شبکه بهره بازتاب موجبر اتصال کوتاه شده اندازه گیری میشود .بهره گیری از شیوه المان محدود fem منجر به تابعی از ثابت دی الکتریک به عنوان بهره بازتاب موجبر کوتاه شده ( بار گذاری شده با نمونه مورد اندازه گیری ) میشود. بهره گیری از میزان ...

در این رساله ابتدا مروری بر نظریه ی انتشار امواج الکترومغناطیسی در موجبرهای الکترومغناطیسی و کاربردهای آن خواهیم داشت و پیرو آن مفاهیمی همچون تفکیک مدها و یا جفت شدگی مدها مورد تجزیه و تحلیل قرار خواهند گرفت. سپس به وجود امواج آهسته در برخی از پیکربندی ها خواهیم پرداخت و آنها را در چند موجبر با سطح مقاطع مستطیلی و دایروی بررسی خواهیم نمود. در ادامه آنالیز ریاضی حاکم بر سیستمهایی با تقارن استوان...