بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

در این پایان نامه، تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی را با استفاده از روش های ماتریس انتقال بررسی می کنیم. و برای موجی که با فرکانس های متفاوت از یک ساختار با لایه های متناوب عبور می کند تراگسیل و زمان تاخیر گروه را محاسبه می کنیم جابجایی بعد از تونل زنی را در راستای عمود بر صفحات بلور فوتونیکی محاسبه می کنیم که به ضریب شکست موثر از لایه های متناوب بستگی دارد. سپس ما ساختار بلور ...

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارftirبررسی میکنیم ساختارftirشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو pimnim تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

در این پایان نامه جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از بلورهای فوتونیکی حاوی متامواد و مواد تک محوری مطالعه شده است. بلورهای فوتونیکی به شکل بلورهای یک- بعدی، نیمه بینهایت، و تمامی لایه ها بصورت همسانگرد، همگن و بدون اتلاف در نظر گرفته شده است. در سطح مشترک بین محیط راستگرد و متامواد امواج سطحی تولید می شوند. این امواج انرژی پرتو را در راستای سطح مشترک دو محیط جابجا می کنند به همین دلیل مرکز پرتو تا...

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

بلورهای فوتونیکی ساختارهایی از مواد دی الکتریک هستند، که ضریب شکست در آن ها به صورت تناوبی تغییر می کند. از این ساختارها می توان در قسمت های اصلی وسیله های کنترل نور استفاده نمود، برای این منظور به بلور فوتونیکی دو بعدی از ستون های دی الکتریک مثلاً gaas نیازمندیم، با ایجاد نقصی در این بلور به عنوان مثال با حذف سه ستون در یک امتداد می توان یک کاواک l3 ایجاد نمود. نقص l3 اولین نوع از کاواک های بلو...

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

شبه کریستال های فوتونیکی با توجه به ویژگی های برجسته ای که در زمینه کنترل نور داشته اند، در چند دهه اخیر مورد توجه محققان در رشته فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است. این ساختارها ویژگی ها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستال های فوتونیکی به نمایش می گذارند، که ناشی از درجه آزادی بیشتری است که در ساختارهای غیرپریودیک نهفته است. از جمله مشخصات مهم و بارز این ساختارها، شکاف باند فوتونیکی کامل و ایز...

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. بلورهای فوتونی از لایه های متناوب از مواد که ثابت دی الکتریک آنها باهم متفاوت هستند، تشکیل شده است. مشخصه ی اصلی بلورهای فوتونی، دوره ای بودن ثابت دی الکتریک در آنهاست. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه ی فرکانسی در بلور می شود، بطوریکه امواج الکترومغناطیسی ای که با فرکانس م...