در این مقاله مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل­زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی محاسبه و با نتایج حاصل وقتی تابش الکترومغناطیسی وجود ندارد مقایسه شده است. برای محاسبه مشخصه جریان- ولتاژ نیاز به محاسبه ضریب عبور الکترون­ها از ساختارهای سد و چاه در این قطعه می­باشد که برای محاسبه ضریب عبور الکترون­ها در حضور تابش الکترومغناطیسی روش تفاضل متناهی حوزه زمانی ( fdtd ) و در حالتی که تابش الکترومغن...

مدل سازی کلیدهای نیمه هادی در مبدل های سوئیچینگ از موضوع هایی می باشد که امروزه، بیشتر مورد توجه مهندسین طراح قرار گرفته است. زیرا به دیدگاه آن ها در انتخاب ساختار، مقایسه، تعیین مقادیر اجزای مبدل، حلقه کنترلی و پایداری اشراف بیشتری می بخشد. در این مقاله، روشی عددی برای تعیین منحنی ولتاژ و جریان تایریستور در مبدل های الکترونیک قدرت ارائه شده است. عناصر موجود در این مبدل ها را می توان از نظر منح...

مدل‌سازی کلیدهای نیمه هادی در مبدل‌های سوئیچینگ از موضوع‌هایی می‌باشد که امروزه، بیشتر مورد توجه مهندسین طراح قرار گرفته است. زیرا به دیدگاه آن‌ها در انتخاب ساختار، مقایسه، تعیین مقادیر اجزای مبدل، حلقه کنترلی و پایداری اشراف بیشتری می‌بخشد. در این مقاله، روشی عددی برای تعیین منحنی ولتاژ و جریان تایریستور در مبدل‌های الکترونیک قدرت ارائه شده‌است. عناصر موجود در این مبدل‌ها را می‌توان از نظر منح...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

در این تحقیق دو نمونه سلول خورشیدی با استفاده از مواد آلی فولرن (60C) به عنوان پذیرنده الکترون (نوع n) و فتالوسیانین مس (CuPc) به عنوان پذیرنده حفره (نوع p) در خلاء حدود mbar6-10 ساخته شده است. الکترود شفاف نمونه اول فقط از یک لایه� ITO تشکیل شده است در حالی که در نمونه دوم یک لایه اضافی از ماده PEDOT:PSS را نیز روی ITOلایه نشانی کردیم تا تأثیر این لایه را بر منحنی ولتاژ ? جریان سلول مورد بررسی...

معادله‌ی انتقال بولتزمن(B‌T‌E) معادله‌ی پایه‌یی است که برای شبیه‌سازی ادوات نیمه‌هادی به‌کار می‌رود. B‌T‌E‌معادله‌یی نیمه کلاسیک است که برخی اثرات کوانتمی از جمله تونل زدن را در نظر نمی‌گیرد. می‌توان با استفاده از معادله‌ی انتقال ویگنر، ضمن تصحیح معادله‌ی B‌T‌E، اثرات کوانتمی را لحاظ کرد. از روش مونته‌کارلو به‌منظور حل B‌T‌E تصحیح شده‌ی کوانتمی برای R‌T‌D استفاده شده است. مطابق انتظار، یک من...

امروزه استفاده از ابررساناهای دمای بالا به­دلیل دارا بودن چگالی جریان بحرانی بالا در حضور میدان­های مغناطیسی قوی، در دستگاه­های توکامک و تصویرگیری تشدید مغناطیسی پیشنهاد می­شود. در این مطالعه، برای نمونه­ی خاصی از نوار چندسازه­ی /AgMg2223Bi-، وابستگی به جریان بحرانی در دما و شعاع­های انحنای مختلف به­دست آمد. هم‌چنین، با استفاده از این نوار ابررسانا، یک پیچه­ی صفحه­ای D شکل طراحی، ساخته و مشخصه­...