نتایج جستجو برای: مغناطوالکترونیک
تعداد نتایج: 2 فیلتر نتایج به سال:
در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...
در این رساله با استفاده از نرم¬افزار espresso در ابتدا خواص انبوهه¬ی بلور crse در هر دو ساختار nias و بلندروی به تفصیل مورد مطالعه قرار گرفته است. در ادامه خواص الکترونی، مغناطیسی و ناپیوستگی نواری مرز مشترک crse/znse را با ساخت ابریاخته¬های با ضخامت¬های مختلف (16، 20 و 24 لایه¬ای) استخراج کردیم. محاسبات نشان دادند که خاصیت نیم¬فلزی در مرزمشترک cr/se حفظ شده و اندازه¬ی گاف نیم¬فلزی برابر 1.9 ال...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید