در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...

موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...

در این مقاله امواج جای‌گزیده TM ایجاد شده در فصل مشترک میان ساختارهای تناوبی دارای نقص ضریب شکست و محیط همگن اعم از معمولی و متاماده بر اساس طیف ATR بررسی و نشان داده شده است در حالتی که محیط همگن هوا باشد، دو دره در طیف ATR ایجاد می‌شود که یکی نشانگر مد سطحی و دیگری مد جای‌گزیده نقص است. همچنین پیدایش این مدها هم به میزان تغییرات ضریب شکست لایۀ نقص بستگی دارد همین‌طور نشان داده شده است در حالت...

ترمیم ‏‎asd primum‎‏ درافراد با رنج سنی متفاوت معمولا در برگیرنده عوارض کوتاه مدت و تاخیری می باشد. مابصورت مطالعه توصیفی و گذشته نگر در صدد تعیین نتایج جراحی با تکنیک اصلاح شده در بیماران با نقص ‏‎‏‎(partial a-v canal defect)sdprimum‎‏ در مراکز جراحی قلب کرمانشاه از سال 1373 تا مهرماه 1380 می باشیم.

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...

چکیده : آنچه بخوبی شناخته شده این است که گسیل خودبخود یک اتم نه تنها به خواص سیستم اتمی تحریک شده وابسته است بلکه به خواص محیط احاطه کننده اتم نیز وابسته می باشد. از نقطه نظر محیط احاطه کننده اتمها، ساختارهای گاف باند فوتونی (pbg) چگالی حالات متفاوتی نسبت به فضای آزاد از خود نشان می دهند. مطالعه پدیده های اپتیک کوانتومی در اتمهای واقع شده در چنین ساختارهایی منجر به پیش گویی آثار جالب زیادی مث...

در این مقاله، با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی ‌دولایه‌ای بی‌نظم را با نقص بررسی خواهیم کرد و دو حالت بی‌نظمی مربوط به ضخامت و طول اپتیکی را در نظر گرفته و جابه جایی طول موج مد نقص را در این دو حالت در دو قطبش TE و TM بررسی خواهیم کرد. مشاهده می‌شود که با افزایش مرتبه بی‌نظمی در هر دو حالت متقارن و نامتقارن و در دو مورد بی‌نظمی ضخامت و طول اپتیکی، مدهای نقص به سمت ...

ظرفیت ذخیرۀ هیدروژن توسط گرافن نقص دار به روش نظریۀ تابعیت چگالی بررسی شد. جذب هیدروژن مولکولی بر روی یک گرافن نقص دار V2(5-8-5) و نیز بر روی گرافن نقص دار دوپه شده باLi انجام شد. مولکولهای هیدروژن بر روی گرافن نقص دار با انرژیهای پیوندحدودmeV48-24بطور فیزیکی جذب میشوند. در حالی که در گرافن نقص دار دوپه شده باLi انرژیهای پیوند بهmeV152-150افزایش مییابد. آنالیزدانسیته بار نشان میدهد که علت این ا...

ظرفیت ذخیرۀ هیدروژن توسط گرافن نقص دار به روش نظریۀ تابعیت چگالی بررسی شد. جذب هیدروژن مولکولی بر روی یک گرافن نقص دار v2(5-8-5) و نیز بر روی گرافن نقص دار دوپه شده باli انجام شد. مولکولهای هیدروژن بر روی گرافن نقص دار با انرژیهای پیوندحدودmev48-24بطور فیزیکی جذب میشوند. در حالی که در گرافن نقص دار دوپه شده باli انرژیهای پیوند بهmev152-150افزایش مییابد. آنالیزدانسیته بار نشان میدهد که علت این ا...

بلورهای فوتونی با شکاف نواری فوتونی، موادی هستند که دارای ساختار متناوب هستند. مطالعه ساختارهای این مواد توجه خیلی زیادی را به هر دو حوزه تئوری و تجربی به خاطر پتانسیل کاربردیشان در اپتوالکترونیک و همچنین توانایی کاربردی این مواد در ارتباطات از راه دور، شامل موجبرها، فیلترهای نوری و میکروکاواک ها جذب کرده است. با در نظر گرفتن کاربردهای بسیار وسیع قطعات اپتیکی بدست آوردن بلورهای فوتونی قابل تنظی...