مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

هدف از این مقاله پیاده سازی طراحی مفهومی بلوک انتقال مداری طبق مدل فرآیند طراحی بهینه سازی چند گامی ترتیبی، به جهت انجام مانور مشخص با کمترین وزن و درحالت واقعی است. در این روش دو حلقه بهینه سازی و طراحی مطرح می گردد که با یکدیگر در فرآیند آنالیز جرمی مرتبط هستند و کلیه خروجی های موجود در حلقه داخلی به عنوان ورودی حلقه خارجی مورد استفاده قرار می گیرد. در حلقه داخلی و برای قراردادن بلوک انتقال م...

مطالعه نانولوله های کربنی نیازمند مدل هایی است که بتوان رفتار آن ها را به عنوان اتصالات میانی مدل سازی نمود. مدل سازی نانولوله های کربنی تک جداره اساس مدل سازی نانو لوله های کربنی چندجداره می باشد. روش مدل سازی نانولوله های کربنی چندجداره بر اساس نانولوله های کربنی تک جداره به این ترتیب است که برای هر پوسته ی یک نانولوله کربنی چندجداره یک مدار معادل مشابه با نانولوله کربنی تک جداره تخصیص داده م...

در این مقاله با ارائه ی روش جدیدی در مدل سازی هندسی تصاویر ماهواره ای، از چند جمله ای های دوبعدی به منظور تعیین موقعیت سه بعدی در تصاویر ماهواره ای استریو استفاده شده است. در این مدل سازی، چند جمله ای های دوبعدی نقش برقراری ارتباط بین فضای زیمن و تصویر را ندارند و در روند مدل سازی به عنوان پارامترهای اضافی در معادله ی شرط هم خطی در نظر گرفته شده اند. معادله ی شرط هم خطی به کار رفته در این مدل س...