نتایج جستجو برای: مدار خودآزمون درون ساخته

تعداد نتایج: 69900  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1392

با پیشرفت تکنولوژی مدارات vlsi و کاهش ابعاد مدارهای الکترونیکی شاهد افزایش میزان نقص ها یا خطاهای ادوات به خصوص در حافظه ها هستیم. بروز خطا در ادوات الکترونیکی سبب کاهش بهره دهی مدارات و کاهش قابلیت اطمینان خواهد شد. در این راستا تحقیقات زیادی برای طراحی مدارهای تعمیر درون ساخته صورت گرفته تا از کاهش بهره دهی و قابلیت اطمینان ادوات جلوگیری شود. با توجه به بالا بودن نیاز مدارات دیجیتال به ذخیره ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1390

بیشترین تعداد هسته های موجود در سیستم های روی تراشه (soc) را حافظه های جاسازی شده تشکیل می دهند. از این رو بهره دهی این حافظه ها نقش بسزایی در بهره دهی کل soc دارد. پیشرفت مداوم مجتمع سازی در سطح تراشه-ها و در نتیجه افزایش چگالی حافظه های جاسازی شده، امکان بروز نقص در سلول های حافظه را افزایش داده است که این امر به کاهش بهره دهی کل تراشه منجر می گردد. با تعمیر حافظه های جاسازی شده می توان این م...

Journal: : 2023

قدرت تفکیک دستگاه طیف‌نگار جرمی به صورت مستقیم شدت یون خروجی و انرژی آن بستگی دارد. مقدار تولید شده جریان باریکه الکترونی وابسته است. از جمله وظایف مدار کنترل چشمه برخورد تنظیم برای رسیدن بهینه می‌باشد. در ساخت پارامترهایی نظیر تثبیت آن، دقیق پتانسل الکتریکی لنز الکترودهای یونی بسیار حایز اهمیت این مقاله با قابلیت انتشار الکترون، پتانسیل نقاط طراحی ساخته شد. کنترلر بر روی طیف نگار 44Varian MAT ...

Journal: : 2023

در این مقاله، هدف طراحی و ساخت سامانه تشخیصی پروب لانگمویر جهت اندازه ­گیری پارامترهای پلاسما دستگاه گداخت به ­روش محصورسازی الکترواستاتیکی اینرسی ایران (IR-IECF) به­ منظور مشخصه­ یابی چشمه‌­ی پلاسمایی می‌­باشد. بدین‌­منظور، یک برای اندازه‌­گیری مختلف از جمله دمای الکترون­، چگالی الکترون، یون، پتانسیل ساخته شده است. با نظر گرفتن مشخصات چشمه IR-IECF، الکترود مورد استفاده مفتول جنس تنگستن قطر طول...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی و مهندسی 1389

امروزه حافظههای جاسازی شده در تراشههای سیستمی، بخش اعظمی از فضای موجود در تراشه را به خود اختصاص دادهاند. از این رو آزمون ساخت این حافظهها، گام مهمی در فرآیند تولید تراشههای سیستمی محسوب میشود که تراشههای آسیبدیده را مشخص نموده و عبور از مراحل نظری ابتدایی به مرحله تولید انبوه را در یک تکنولوژی ساخت جدید سرعت میبخشد. در این راستا، خودآزمون داخلی به عنوان یک روش موثر برای رفع مشکلات موجود در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1379

در این پایان نامه یک راهکار موثر جهت خودکارسازی روند طراحی واحد خودآزمون پذیری برای هسته های حافظه ارائه شده است . با استفاده از این روش ، تولید خودکار واحد خودآزمون پذیری بشکل کاملا"سفارشی و براساس پارامترهای حافظه تحت آزمون و الگوریتم آزمون مورد نظر انجام می پذیرد. ضمنا"روشی نیز برای ارزیابی سربار سخت افزاری ارائه شده است . به منظور اثبات ادعای کارآمد بودن راهکار ارائه شده، یک پیاده سازی نرم ...

محمدجواد کرم افروز

  چکیده پژوهش حاضر از نوع توصیفی بوده وبا هدف بررسیکارکردهای مدیریتی در هر یک از سبک های سازمان مدار، فرد مدار و رابطه مدار انجام شده است. نمونه آماری،322 نفر شامل 17 مدیر از17منطقه آموزش و پرورش شهر تهران و 305 نفر از کارکنان مناطق نامبرده است.ابزار اندازه گیری شامل یک پرسش نامه محقق ساخته 24 سؤالی با طیف لیکرتی است واز تحلیل واریانس یکراهه و  مقایسه های پس از تجربه (فیشر[1]، توکی[2]و یا شفه...

محاسبه و آنالیز حساسیت پارامترهای ترموهیدرولیکی محفظه ایمنی ساختمان راکتور نیروگاه هسته ای بوشهر در اثر حادثه از دست دادن خنک کننده مدار اصلی بررسی رفتار فشار هوای درون محفظه ایمنی ساختمان راکتور (کانتینمنت) در اثر حادثه LOCA و حساسیت آن نسبت به دمای داخل و بیرون محفظه ایمنی راکتور از جمله موارد حائز اهمیت در طراحی سیستم‌های ایمنی می‌باشد. در این پژوهش معادلات حاکم بر پدیده‌های مختلف درون محف...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده کامپیوتر و فناوری اطلاعات 1391

مطالبات در محاسبات آینده و همچنین چالش های طراحی مدارات مجتمع با تراکم بالا برای تکنولوژی نانومتر نیازمند روش ها و سبک های جدیدی در طراحی هستند، که بطور قطع این روش ها از کارائی بالا و مصرف توان پایین و همچنین مقاومت بالا در برابر نویز و تغییرات فرایند برخوردار خواهند بود. یکی از مشکلات بارز، مکانیزم ارتباطی است که بایستی بین تعداد رو به افزایش بلاک ها یا هسته ها که می توانند درون یک تراشه تعبی...

در این مقاله یک مبدل افزاینده جدید ارایه گردیده است که برای ایجاد شرایط کلیدزنی نرم از کلید کمکی استفاده نگردیده است بنابراین نیاز به مدار راه انداز اضافی نیست و انرژی مدار کمکی نیز به نحو مناسبی به خروجی منتقل گردیده است. مدار کمکی شرایط کلیدزنی در جریان صفر را برای روشن شدن و شرایط کلیدزنی در ولتاژ صفر را برای خاموش شدن کلید فراهم می نماید. از طرفی تمامی دیودها بصورت ZCS خاموش می گردند و مشکل...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید