چکیده نیاز به فیلتر emi در ورودی وسایل برقی جهت رعایت مقررات استانداردهای سازگاری الکترومغناطیسی الزامی است. موضوع اصلی این رساله در مورد مسائل مرتبط با طراحی این فیلترها از قبیل مشخصه منبع نویز و پارامترهای پارازیتی عناصر فیلتر می باشد. تعیین میزان تضعیف مورد نیاز برای نویزهای cm و dm تولید شده از سوی وسایل برقی نقطه شروع مراحل طراحی فیلتر بوده که باید توسط اندازه گیری و یا شبیه سازی تعیین شو...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

خلاصه: در این مقاله، طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می‌شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ارائه‌شده یک تقویت‌کننده کم نویز کسکود شده با ا...

در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس 2.4GHz در فناوری CMOS پرداخته شده است. فرایند شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE RF انجام‌گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین‌تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می‌شود. شبکه‌ی تطبیق اضافه‌شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر S11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

در این مقاله به طراحی و شبیه‌سازی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس 2.4GHz در فناوری CMOS پرداخته شده است. فرایند شبیه‌سازی با نرم‌افزار HSPICE RF انجام‌گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین‌تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می‌شود. شبکه‌ی تطبیق اضافه‌شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر S11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز (lna) در فرکانس 2.4ghz در فناوری cmos پرداخته شده است. فرایند شبیه سازی با نرم افزار hspice rf انجام گرفته است. استفاده از ساختار کسکود به توان مصرفی پایین تر همراه با بهره ولتاژ و بهره توان بالاتر منجر می شود. شبکه ی تطبیق اضافه شده در این مقاله باعث بهبود پارامتر s11به مقدار قابل قبولی شده و باعث شده است که کنترل خوبی بر قسمت حقیقی امپدانس...

در این پژوهش، رفتار خوردگی فولاد کربنی API 5L Gr.B و میزان تزریق بازدارنده­­ای بر پایه ایمیدازولین در آب دریای ساختگی بررسی شد. برای این منظور پس از غوطه­وری نمونه­ها در پتانسیل مدار باز به­مدت زمان­ 30 دقیقه، آزمون­های پلاریزاسیون تافل و طیف­سنجی امپدانس الکتروشیمیایی انجام شدند. منحنی­های پلاریزاسیون تافل نشان داد که کم­ترین مقدار چگالی جریان خوردگی با افزودن مقدار ppm 40 از بازدارنده به­دست ...