در این پایان نامه یک سیستم فتوولتائیک با مبدل باک – بوست و با استفاده از کنترل کننده pi ، فازی و فازی + pi ارائه شده است . استفاده از مبدل باک - بوست در مدارات فوتوولتائیک به منظور افزایش ولتاژ مدار و کنترل آن مورد نیاز است . روش های کنترلی زیادی در این زمینه مانند کنترل کننده pi و pid طراحی شده اند اما میتوان به جای سیستمهای کنترل دیجیتال از مجموعه های فازی استفاده کرد . کنترل کننده فازی یکی ا...

در مقاله حاضر فوتوولتائیک به عنوان یکی ازجذاب ترین روش های تولید انرژی در میان انرژی های تجدید شونده مورد بررسی، مطالعه و تمرکز قرار گرفته است. این شیوه تولید توان به سبب طبیعت تمیز و بدون نیاز به سوخت آن روز به روز توجه بیشتری به خود جلب می نماید. تولید توان قابل قبول از دید استاندارد کیفیت توان محققین را وادار می نماید تا بر روی پارامترهای خروجی سیستم های فوتوولتائیک و کنترل آنها به طریق مطل...

دستگاه‌‌های فوتوولتائیک پلیمری به دلیل وزن کم، دوست‌دار محیط‌زیست بودن و سهولت فرآیندپذیری به عنوان یک منبع سبز برای تولید انرژی مورد توجه قرار دارند. به ویژه افزاره‌‌های فوتوولتائیک پلیمری شفاف به دلیل پتانسیل منحصربه‌‌فرد آن‌‌ها در زمینه افزایش برداشت نور خورشید توجه بیشتری را به خود جلب کرده‌‌اند. کوپلیمرهای نوع p با ساختار D-A به عنوان مواد حساس به نور جدید تهیه شده‌‌اند تا به صورت موفقیت‌‌...

امروزه تکنولوژی سیستم های فوتوولتائیک به دلیل ایمنی بالا و عدم تولید آلاینده ها، در تولید توان الکتریکی پاک نقش مهمّی را ایفا می کنند. آرایه فوتوولتائیک یک منبع توان با مقاومت داخلی غیرخطّی می باشد. مشخّصه غیرخطّی یک آرایه فوتوولتائیک تابعی از دما و شدّت تابش است. توان خروجی آرایه با تغییرات دما و تابش تغییر می کند بنابراین نقطه کار یک آرایه فوتوولتائیک با تغییرات شرایط جوّی و همچنین تغییرات اندازه ب...

گرافن به دلیل تحرک ترابرد بالا و قابلیت استفاده در دمای اتاق کاندیدای خوبی در مقایسه با دیگر نیمرساناهای متداول در تکنولوژیهای جدید فوتوولتائیک است. سلول های خورشیدی نیم رسانا بطور وسیعی برای تولید جریان نوری مورد استفاده قرار می گیرد. ولی بخاطر هزینه ی بالا و بی اثر بودن جذب نور نزدیک گاف باندی و پایین بودن راندمان تدریجا جای خود را به ساختارهای گرافنی می دهد. لذا در پژوهش حاضر یک ساختارچاه ک...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

با پیشرفت تکنولوژی و کاهش ابعاد ترانزیستور، تلرانس پارامترهای ساخت مدارات الکترونیک افزایش یافته و باعث کاهش ضریب yield می شود. در طراحی مدارات الکترونیک، طراح عموما مقادیر نامی را برای دست یابی به عملکرد مطلوب استخراج می کند، در حالی که، در عمل یک ناحیه تلرانس، به دلیل فرآیند های تصادفی حین فرآیند های ساخت، وجود دارد که بایستی در طراحی لحاظ گردد. الگوریتم های بهینه سازی طراحی تلرانس، ناحیه تلر...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

در طول چند دهه اخیر شاهد پیشرفت چشمگیری در زمینه الکترونیک بوده ایم. پیشرفت تکنولوژی سعی در تولید مدارات الکترونیکی دارد که در آن توان مصرفی و حجم مدار کمینه شود. در طول چند سال اخیر اصطلاح "یک سیستم روی یک تراشه" در مدارات مجتمع اهمیت ویژه ای پیدا کرده است. توسعه مدارات الکترونیکی موجب تولید تراشه های شامل مدارات دیجیتال و آنالوگ شده است. این توسعه همچنین باعث افزایش تعداد قطعات روی یک تراشه ش...

چکیده در این پروژه یک cad به منظور طراحی و بهینه سازی مدارهای مجتمع دیجیتال و rf، پیاده سازی شده است. مسأله مهم در طراحی مدارهای مجتمع (بویژه در rf) در تکنولوژی cmos، توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور، خازن و سلفهای مجتمع آن است و این مسأله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند. یک ویژگی مهم این روش استفاده از مدلهای دقیق عناصر و در نظر گرفتن کلیه عناصر پارازیتیک در طراحی است لذا جواب بدست آمد...