نتایج جستجو برای: ماتریس نواری

تعداد نتایج: 11221  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ایلام - دانشکده علوم پایه 1391

ماتریس های نواری کاربردهای زیادی در رشته های مختلف علوم دارند به عنوان مثال از گسسته سازی معادلات دیفرانسیل معمولی و جزیی بوجود می آیند. در بررسی آنالیز همگرایی روش های عددی که از گسسته سازی معادلات دیفرانسیل معمولی و جزیی بوجود می آیند به معکوس ماتریس های نواری مانند سه قطری ، چهار قطری، پنج قطری، شش قطری ، هفت قطری، نه قطری و غیره نیاز داریم در این پایان نامه قصد داریم معکوس و کران بالایی برا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده ریاضی و کامپیوتر 1393

در این پایان نامه، معکوس ماتریس های نواری شکل مورد بررسی قرار می گیرد. در این خصوص، ابتدا یک ماتریس سه قطری را در نظر می گیریم و فرمولی صریح برای درایه های ماتریس معکوس با استفاده از کسر مسلسل پسرو بدست می آوریم. سپس حالت کلی از ماتریس نواری را بررسی و فرمولی برای معکوس این ماتریس ها با استفاده از تجزیه lu و ماتریس های هسنبرگی متناظر با آن ارائه می کنیم. در پایان فرمولی برای معکوس به وسیله تجزی...

رضا عطارنژاد, لطیف ابراهیم نژاد

در این مقاله روشی سریع برای حل مسائل الاستیسیته به کمک روش اجزای مرزی ارائه می شود. نکته اصلی این روش، استفاده از تبدیل موجک برای فشرده کردن ماتریس های پرو نامتقارن ناشی از روش اجزای مرزی است. موجکهای متعامد Daubechies برای فشرده کردن ماتریس های سیستم اجزای مرزی در مسائل عملی الاستیسیته استفاده شده اند. تبدیل موجک به شکل جعبه سیاه به برنامه های اجزای مرزی موجود اعمال شده است. آنالیز حساسیت ن...

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2007
رضا عطارنژاد لطیف ابراهیم نژاد

در این مقاله روشی سریع برای حل مسائل الاستیسیته به کمک روش اجزای مرزی ارائه می شود. نکته اصلی این روش، استفاده از تبدیل موجک برای فشرده کردن ماتریس های پرو نامتقارن ناشی از روش اجزای مرزی است. موجکهای متعامد daubechies برای فشرده کردن ماتریس های سیستم اجزای مرزی در مسائل عملی الاستیسیته استفاده شده اند. تبدیل موجک به شکل جعبه سیاه به برنامه های اجزای مرزی موجود اعمال شده است. آنالیز حساسیت نتا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم 1379

در نظریه نواری جامدات برخلاف مدل الکترون آزاد از ساختار تناوبی شبکه بلوری صرفنظر نمی شود. نخستین نظریه نواری توسط کرونیگ و پنی بر اساس مکانیک کوانتومی غیرنسبیتی ارائه شد. تجربه نشان می دهد آثار نسبیتی در ساختار نواری فلزات سنگین نقش مهمی ایفا می کنند. در این پایان نامه ابتدا مدل کرونیگ و پنی غیرنسبیتی را با استفاده از ماتریس عبور و ماتریس پراکندگی از سدهای پتانسیل یک بعدی متوالی مورد بررسی قرار...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک 1393

کنترل حالت پلاریزاسیون و فاز در سیستم های اپتیکی نقش مهمی را ایفا می کند. به عنوان مثال: کنترل حالت پلاریزاسیون امواج نوری در گستره ای از کاربردها که شامل توسعه ی سنسورهای اپتیکی، اندازه گیری موج نوری و توسعه ی مدارهای مجتمع و... است، بسیار مهم می باشد. فاز نیز در سیستم های اپتیکی نقش مهمی را در هولوگراف های اپتیکی و مدولاتورهای فازی بازی می کند. همچنین فاز و دامنه ی امواج الکترومغناطیسی اطلاعا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1388

نیمه رسانای سولفید روی zns، از مهم ترین نیمه رساناهای ترکیبی گروه ii-vi است. zns دارای گاف نواری مستقیم و پهن است که در دمای اتاقev 68/3 می باشد، شعاع بوهر اکسیتون آن کوچک وnm 5/2 است. از نظر تکنولوژی نیز نیمه رسانای مهمی است وکاربردهای مختلفی از قبیل قطعات اپتو الکترونیکی، دیودهای گسیل کننده نور، قطعات الکترولومینسانس، سلول های فوتو ولتاییک، پنجره های فروسرخ ، سلول های خورشیدی ، حوزه های فوتوک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان 1389

چکیده یکی از بخشهای اصلی بافندگی، مقدمات می باشد که اهداف زیادی را به منظور بهتر شدن شرایط بافندگی دنبال می کند. بوبین پیچی یکی از مراحل مقدمات می باشد که نخ روی ماسوره را روی بوبین منتقل می کند. بوبین پیچی نا مشخص، به عنوان یک سیستم بوبین پیچی، محاسن و کاربرد گسترده ای در صنعت نساجی دارد. روند کاهشی ثابت نسبت پیچش باعث ایجاد مشکل در پیچش می گردد. زمانی که نسبت پیچش عدد صحیح می گردد پیچش نخ از...

لایه‌های دوبعدی ‌دی‌کالکوجنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف‌های نواری مستقیم، افق جدیدی‌ در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواری باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه‌ها در دستگاه‌های فوتوولتاییک می‌شود. قرارگیری این لایه‌ها روی زیرلایه به علت بازتاب‌های متوالی، بر طیف جذب اثر می‌گذارد. به طور متداول، از SiO2 یاSi و یا ترکیب آنها به عنوان زیرلایه برای این تک لایه‌ها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - دانشکده علوم پایه 1392

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید