قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

نانوساختارهای نیم رسانا که به آن ها نقطه ی کوانتومی یا اتم های مصنوعی نیز گفته می شود، کاربردهای بسیاری در سامانه-های مختلف از جمله لیزرها و آشکارسازهای نوری پیدا کرده اند که این کاربردها به دلیل ویژگی های وابسته به اندازه و قطبش آن ها است. در هنگام رشد ساختارهای نامتجانس خودسامان یافته مثل inas/gaas، نقطه های کوانتومی در شکل-های مختلفی مثل هرم و نیمه بیضی وار رشد می کنند. به دلیل تفاوت ثابت شب...

در این پژوهش اثر حساس سازی لایه های نانوساختار 2 tio با استفاده از رنگ دانه های سیانیدن موجود در توت سیاه به روش سل ـ ژل بررسی شده است. برای این منظور ابتدا لایه های نانوساختار 2tio برروی زیرلایه شیشه به روش لایه نشانی غوطه وری سل ـ ژل تهیه شـــده و سپس بــا استفاده از رنگ دانه های سیانیدین موجود در توت سیاه حساس سازی شدند. ساختار بلوری و فازی این لایه ها و ریخت شناسی سطحی آن ها، با استفاده از ...

امروزه مواد نیمرسانای مغناطیسی رقیق بعلت قابلیت کاربرد گسترده آنها در صنعت اسپینترونیک مورد توجه محققین قرار گرفته است و مطالعات تجربی و تئوری زیادی روی این مواد در حال انجام می باشد. در اسپینـترونیک علاوه بر خـواص بار الکـتریکی از خاصیـت اسپیـنی حاملها نیز استفاده می گردد. به دلیل توجه به این ویژگیها، آلایش گروهی از مواد نیمرساناها نظیر ترکیبات گروه iii-iv و ii-vi با اتمهای مغناطیسی مورد توجه ...

هدف اصلی در این پایان نامه، تحلیل پاسخ نوری ابرشبکه ی متشکل از لایه های نارسانا و نیم رسانا در نزدیکی بسامد گذار نیم رسانا است. در این ناحیه از طیف، پاسخ نوری نیم رسانا به علت تشکیل زوج مقید الکترون- حفره (اکسایتون) غیر موضعی است که عرصه ی قابل توجهی در نورشناخت جامدات می باشد[8]. پاسخ نوری غیرموضعی عامل پاشندگی فضایی برانگیختگی های نیم رسانا است و از این جهت مدهای اکسایتون- پلاریتون (سطحی و حج...

سطوح لایه های نازک دارای زبری هستند و سطح صافی ندارند. در مطالعه رسانندگی لایه نازک، هنگامی که ضخامت لایه هم مرتبه یا کوچکتر از طول پویش آزاد میانگین باشد فیزیک کلاسیک قادر به حل مسئله نیست. در این حالت الکترون ها از مرز لایه با خبر می شوند و ناهمواری سطح را حس می کند و پراکنده می شوند و مقاومت اضافی ایجاد می کنند.رسانندگی لایه به مورفولوژی سطح بستگی دارد تلاش کردیم به بررسی نقش زبری در پراکندگ...

در این پژوهش با ساخت سلول فوتوولتائیک لایه نازک دو لایه ای ناهمگون آلی بر پایه ی cupc/c60، نشان داده شد که مواد مورد استفاده در سلول با ساختار ito/pedot:pss/cupc/c60/ebl/ag شرایط اپتیکی لازم به منظور ایجاد طیف های جذب و عبور مناسب جهت جذب بهینه در لایه فعال را برآورده می کنند. نقش لایه سدکننده اکسایتون (ebl) مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت و دیده شد با استفاده از این لایه مشخصه های اصلی سلول شامل:...

در این پژوهش، از یک مدل دو بعدی مونت کارلو برای شبیه سازی مولفه های الکترون و حفره جریان نوری خروجی و محاسبه پاسخ زمانی آشکارساز نوری فلز- نیم رسانا- فلز gaas به ازای تابش پالس نوری استفاده شده است. برای این منظور از یک مدل دو دره ای برای الکترون ها و همچنین مدل دو باندی برای حفره ها استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند. باندهای انرژی غیرسهموی فرض...

لایه های نازک اکسید قلع با ناخالصی فلوئور به روش اسپری پایرولیزیز جایگذاری شدند. نمونه ها با پارامترهایی نظیر: نسبت وزنی مختلف، دمای جایگذاری مختلف، مولاریته محلول مختلف تهیه شدند.برای مورد اول، نسبت وزنی فلوئور به قلع(f/sn) با گام های 0/05 از 0 تا 0/3 تغییر نمود. برای موارد بعدی نمونه با نسبت وزنی 0/05: f/sn در سه دمای متفاوت و سه مولاریته متفاوت جایگذاری شد طیف پراش پرتو x برای4 نمونهبا نسبت ...

در حال حاضر دو فناوری در ساخت سلول های خورشیدی غالب است: فناوری نسل اول و نسل دوم. فناوری نسل اول بر پایه ویفرهای سلیکونی با ضخامت µm300-400 است. تکنولوژی نسل دوم یا تکنولوژی لایه نازک، براساس لایه نشانی نیمه هادی روی بسترهای شیشه ای، فلزی یا پلیمری، در ضخامت های nm100 است و با قابلیت هایی مانند انعطاف پذیری و هزینه مواد اولیه پایین تر اندازه ی سلول تا 100 برابر بزرگتر از اندازه سلول ساخته شده ...