پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2  و Ta2O5  می‌باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه ...

برهمکنش بین نور و ماده ی مغناطیسی می تواند باعث پدیده های مغناطواپتیکی بسیاری شود، از جمله ی آن ها می توان به چرخش فارادی و کر اشاره کرد. برای بدست آوردن اثر مغناطواپتیکی می توان از مواد مغناطیسی نوع حجیم استفاده نمود، ولی این چنین اندازه های بزرگ برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری (ایزولاتورهای اپتیکی) که دارای اندازه های کوچک هستند مناسب نیستند. یکی از روش ها برای افزایش اثرهای مغناطواپتی...

بلورهای فوتونی، ساختارهای متناوب دی الکتریکی یا فلزی هستند که می توانند انتشار نور را کنترل کرده و رفتار آن را تحت تأثیر قرار دهند. وقتی که که مواد سازنده ی بلورهای فوتونی، خاصیت مغناطیسی داشته باشند و یا حداقل یک لایه در ساختارهای بلور فوتونی، مغناطیسی باشدبلورهای مگنتوفوتونی شکل می گیرند.استفاده از ساختار های بلور مگنتوفوتونی به منظور افزایش اثرات مگنتواپتیکی از سال 1996 آغاز شده و تاکنون مطا...

گرافین کامل و دست نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان یافته با هیدروژن در غیاب نقص های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی جای ها، خواص مغناطیسی را به شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی جای ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانونوار...

بلورهای فوتونیک ساختارهای متناوب از مواد دی¬الکتریکی¬اندکه مهم¬ترین مشخصه¬ی آن¬ها داشتن گاف نواری فوتونیک است. فرمول¬بندی و روابط فیزیکی مربوط به بلورهای فوتونیک، امواج بلوخ، تقارن¬ها، نقص در بلورهای فوتونیک و ... معرفی می¬گردد. بلورهای فوتونیک مغناطیسی، نوعی از بلورهای فوتونیک¬اند که در آن¬ها اجزای مغناطیسی در کنار مواد دی¬الکتریکی قرار داده می¬شود و با به¬کاربردن میدان مغناطیسی خارجی، خاصیت م...

متامواد چپگرد مواد مصنوعی هستند که ضرایب گذردهی الکتریکی و تراوایی مغناطیسی آنها به طور همزمان منفی بوده و دارای ضریب شکست منفی هستند. حضور این مواد در ساختارهای بلورهای فوتونیکی سبب پدیده های اپتیکی جالبی شده است. به همین خاطر در این پایان نامه اثر لایه نقص در ساختار شامل متاماده را بر جابجایی گوس هانچن مطالعه نمودیم. بلور فوتونیکی مورد مطالعه به شکل یک بعدی نیمه بینهایت، و تمامی لایه‎ها بصورت...

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

نقص ها با توجه به این که می توانند روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها تاثیر بگزارند از اهمیت ویژه ای برخوردارند. با توجه به کاربرد مواد اگر به دید منفی به نقص ها در ساختار ها نگاه کنیم پس بایدشناخت از تاثیر نقص ها روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها داشته باشیم تا ساختار ها کاربرد خود را با تغییر در خواص الکتریکی ومغناطیسی از دست ندهند. همچنین اگر با دید مثبت نگاه کنیم یعنی اگر ما بدون ت...

در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو لوله های نیترید بور، پرداخته ایم. که در ذیل به طور مختصر به نتایج بدست آمده می پردازیم. - نانو لوله های تک دیواره در نانو لوله ها (0, 6) ، (0, 12) ، (0, 14) ، (0, 18) مشاهده شد که با افزایش قطر نانو لوله ها، گاف انرژی نیز بزرگتر شد و در نانو لوله هایی با قطر بیشتر این تغییر گاف کمتر مشاهده شد. که علت آن کم شدن خمش نانو لوله است. - نان...

به‌طورکلی با اِّعمال فیلتر ادامه فراسو، پاسخ مغناطیسی مشاهده شده از توده‌های عمیق‌تر ناشی می‌شود. در نتیجه با اِعمال فیلتر ادامه فراسو در مرز بین دو لایه شیب‌دار با خواص مغناطیسی متفاوت، به سادگی می‌توان دید که مکان قرارگیری بی‌هنجاری مغناطیسی ناشی از مرز بین دو لایه روی نیم‌رخ‌‌‌های مغناطیسی با افزایش ارتفاع به طور جانبی جابه‌جا می‌شوند که این جابه‌جایی در جهت شیب بین دو لایه صورت می‌گیرد. با ترک...