لایه نشانی شیمیایی بخار یک ماده ی پلیمری (پلی کربوسیلان) در یک رآکتور استوانه ای و در فشار جو با استفاده از گاز آرگون، به عنوان گاز حامل، برای تولید فیلم نازک سیلیکون کرباید، شبیه سازی شده است. شبیه سازی به صورت عددی و با به کارگیری روش حجم محدود، انجام شده است. تاثیر پارامترهای کسرجرمی ورودی، عدد رینولدز ورودی، دمای زیرلایه، فاصله ی زیرلایه از ورودی، دمای دیواره ی رآکتور، دمای مخلوط ورودی، و ...

�لایه های نازک نیترید سیلیکون برروی زیرلایه بس کریستال سیلیکون و شیشه نازک بااستفاده از روش کندوپاش RF لایه نشانی شده اند. لایه نشانی یک بار در محیط گاز آرگن و بار دیگر در محیط گاز نیتروژن انجام شده� است. با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییرمی کند و لایه هایی با خواص نوری متفاوت به دست می آید. تأثیرات ناشی از تغییرات توان RF برروی خواص نوری و ترکیبات موجود در لایه...

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان اتصال اهمی بر روی زیرلایه مولتی کریستال سیلیکون به روش الکتروشیمیایی (آبکاری الکتریکی) لایه �نشانی و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. به منظور ایجاد ساختار مورد نظر، نیکل به دو روش آبکاری غیرالکتریکی و الکتریکی بر روی زیرلایه�های n+-Si� لایه نشانی شده و پس از گرمادهی (جهت بهبود خواص کریستالی)، لایه�ای از مس به روش آبکاری الکتریکی به منظور کاهش مقاومت سطحی و ...

کار بر روی پروژه "شبیه سازی، طراحی و تهیه ی اجزای مورد نیاز برای ساخت سامانه ی لایه نشانی pecvd"، با هدف لایه نشانی اکسیدسیلیکون به عنوان لایه ی محافظ در قطعات الکترونیک آغاز شد. در مراحل ابتداییِ تحقیق مشخص شد که اغلب لایه های دی الکتریک موجود در تکنولوژی مدارات مجتمع، از جمله دی الکتریک بین لایه ها، اکسید میدان، لایه های محافظ و حتی در مواردی اکسید گیت، با روش های لایه نشانی بخار شیمیایی در مح...

در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان تماس اهمی برروی بس بلور سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی و بااستفاده از دستگاه ماوراء صوت لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. نیکل بااستفاده از حمام وات برروی زیرلایة n+-Si در زمان های 10، 20 و 40 دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و تماس لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی برروی لایة نیکل انجام شده است. آنالیزهای XRD، SEM و EDX برای ب...

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

پوشاننده های دی اکسید تیتانیوم با قابلیت فعل و انفعالات وابسته به نور به خاطر رفتار خود تمیز شونده ی بسیار عالی، معروفند، جاییکه لایه بسیار نازک آب روی سطوح آبدوست تشکیل میشوند، آنها میتوانند به راحتی ذرات آلودگی را بشویند و از بین ببرند. در اینجا ما آماده سازی شفافیت و چسبندگی بصری آب و کاورهای دی اکسید تیتانیوم-دی اکسید سیلیکون را روی سطوح مختلف جهت ویژگیهای خود تمیزشوندگی گزارش میکنیم. لایه ...

یکی از راه های افزایش بهره ی سلول خورشیدی، پشته ای وصل کردن سلول های خورشیدی می باشد. سلول خورشیدی پشته ای که در اینجا مورد شبیه سازی و بررسی قرار گرفته است از دو تک سلول تشکیل گردیده که ابتدا این دو تک سلول سیلیکون و 6h-sic که هر کدام بخشی از طیف خورشید در بر می گیرد شبیه سازی شده و پارامترهای الکتریکی و نوری مورد بررسی قرار گرفت و برای افزایش راندمان، باز ترکیبی در سلول رخ می دهد و با کاهش عم...

در این تحقیق جذب گازهای سمی سیانوژن کلرید و فسژن بر روی نانولوله خالص و دوپه شده با اتم ژرمانیم سیلیکون کرباید تک دیواره زیگزاگ (8،0) انجام شده است. با استفاده از محاسبات نظریه تابعیت چگالی (dft)، برهم کنش این مولکول ها بر سطح نانولوله از نظر انرژی الکترونی جذب، شکاف انرژی و کمیت های الکترونی مانند پتانسیل شیمیایی، سختی شیمیایی و شاخص الکترون دوستی بررسی شده است. نتایج محاسبات نشان داده است در...

تابع کار و انرژی سطح به ازای واحد مساحت در چارچوب نظریه تابعی چگالی به روش امواج تخت بهبود یافته خطی به علاوه اربیتالهای موضعی با پتانسیل کامل برای یک بره متقارن از سیلیکون شامل دو سطح (بالا و پایین) محاسبه شده اند. الگوی این سطوح به طور نظری با استفاده از روش ابریاخته با روی هم قرار دادن تعدادی از لایه های سیلیکون در امتداد محور بلورشناسی (111) به دست آمده است. به منظور متقارن ساختن این بره دو...