در صنعت سلول های خورشیدی، سلول های سیلیکنی بواسطه فراوانی مواد اولیه و گستردگی تجهیزات ساخت بیشترین سهم را از آن خود کرده اند. در میان سلول های سیلیکنی، ساختارهای هتروجانکشن آمورف/کریستالی به دلیل هزینه تولید پایین،پسیویشن مناسب و امکان دستیابی به بازده های بالا بسیار مورد توجه هستند. تا کنون سلول hit یا "هتروجانکشن با بکارگیری لایه نازک ذاتی" که توسط کمپانی سانیو ارائه شده، بالاترین بازده و به...

در دهه¬های اخیر ساخت ابزارهای الکترونیکی با استفاده از مواد نانومقیاس، تغییرات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است. انتخاب ماد? مناسب جهت ساخت ابزارهای الکترونیکی با عملکرد بالا با پای? نیم¬رساناهای ترکیبی با گاف نواری پهن، از مهم¬ترین مراحل است. از میان هم? اکسیدهای فلزی، zno به¬دلیل فرآیند ساخت آسان، گاف نواری مستقیم و پهن ev 37/3، انرژی پیوندی اکسایتونی بالا mev 60 و تنوع ریخت از مناسب¬تر...

در این مقاله، یک سلول ‌خورشیدی ناهمگون با دو لایه ذاتی ریز‌بلوری با استفاده از نرم‌افزار AFORS-HET طراحی و بهینه‌سازی شده است. ساختار شبیه‌سازی به صورت TCO/a-Si:H(n)/µc-Si:H(i)/c-Si(p)/µc-Si:H(i)/BSF/TCO/Ag می‌باشد. با ثابت فرض کرن ضخامت لایه امیتر و لایه میدان سطحی تحتانی (BSF) اثر پارامتر‌های مختلفی مانند: تغییر ضخامت لایه ذاتی تحتانی، ضخامت ویفر، نقص چگالی لایه واسط و با استفاده از سه نوع مخ...

ابتدا نانو ذرات پلی آنیلین را با استفاده از امواج فراصوت سنتز می کنیم سپس قطعات ساندویچی پیوند ناهمگن برموآلومینیوم فتالوسیانین وپلی آنیلین وقطعات تک لایه برمو آلومینیوم فتالوسیانین به روش زیرساخته می شوند. پس از تمیز کردن بستر پلی بروسیلیکان, ابتدا لایه ای از آلومینیوم به عنوان الکترود و با ضخامت 50±5 نانومتر از طریق لایه نشانی تبخیر گرمایی توسط تفنگ الکترونی در محفظه ای با فشار مناسب mbar 10...

در این پایان نامه پیوندگاه جوزفسون توسط پدیده میکروسکوپی تونل زنی و تاثیر اعمال ولتاژ به دو سر آن و حضور در میدانهای مغناطیسی مورد بررسی و معرفی قرار می گیرد. در اینجا هدف، دست یافتن به جوابهای معادله سینوسی گوردون است که رفتار پیوندگاه جوزفسون را توصیف می کند. اثر جوزفسون پدیده ای شامل شارش جریان در عرض دو ابررسانای مجزا که بطور ضعیف توسط یک لایه نازک بهم متصل شده اند، می باشد. پیوندگاه جوز...

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

در این تحقیق لایه AZO (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-Si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si و نیزلایه AZO تحت تابش نور مرﺋی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهX...

لایه های نازک اکسید روی آلائیده با آلومینیم به روش اسپری پایرولیز بر روی زیرلایه ی سیلیکون و شیشه لایه نشانی شده اند. آنالیز پراش پرتو ایکس فازهای موجود در لایه های نازک را مشخص نموده است. آنالیز فوتولومینسانس جهت بررسی خواص لومینسانس فیلم های نازک گرفته شده و طیف سنجی فرابنفش- مرئی برای بررسی عبور اپتیکی نمونه ها و تعیین گاف انرژی و لبه ی جذب اپتیکی استفاده شده است. از تصاویر edax جهت تعیین نو...