نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (zno ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(t)، بازتابندگی(r) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج 1100-200 نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی ا...

نانوذرات اکسیدروی دارای خاصیت فوتوکاتالیستی بوده و توانایی تخریب پلیمرها و مواد آلی را دارند. در این پایان نامه فیلم های نازک نانوکامپوزیت پلی استایرن- اکسیدروی به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شدند. لایه های نازک پلی استایرن- اکسیدروی تهیه شده در معرض تابش نور لامپ فرابنفش قرار گرفتند. تأثیر پرتودهی بر روی ویژگی های اپتیکی و تخریب نمونه ها بررسی شد. پرتودهی می تواند مواد آلی را از سطح نمونه ها تخر...

هدف پژوهش حاضر ساخت و مشخصه‌یابی کامپوزیت‌های فتوکاتالیست اکسیدروی/ سیلیکاژل برای حذف رنگ متیل‌اورانژ بود. ساخت کامپوزیت اکسیدروی/ سیلیکاژل از طریق قراردادن سیلیکاژل در نمک مذاب کلریدروی در دمای 560 درجه‌سانتی‌گراد در زمان­های 20، 40، 60 و 90 دقیقه انجام شد. برای سنتز این کامپوزیت از هیچ عامل احیا کننده و یا ماده شیمیایی به‌ غیر از کلریدروی استفاده نشد. با روش ارایه شده در ‌این تحقیق سنتز نانوذ...

در این پژوهش، با استفاده از روش ارزان قیمت سل-ژل، اکسیدروی نوع مثبت تهیه شد و سپس بر پایه آن، با استفاده از نیم رسانای سیلیسیوم نوع منفی، اقدام به ساخت دیود نوری پیوندی مثبت-منفی نمودیم. بطور کلی اکسیدروی نیم رسانایی با گاف انرژی بزرگ 3/37 ev بوده و به واسطه فراوانی و قیمت ارزانی که داراست گزینه مناسب و پرکاربردی جهت ابزار الکترواپتیکی بشمار می رود، اما ناپایدار بودن نوع مثبت این نیم رسانا سد ب...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (ZnO ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(Zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(T)، بازتابندگی(R) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج 1100-200 نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی ...

چکیده: ابعاد و شکل پوشش عایقی برق‌گیر تأثیر بسزایی در توزیع میدان الکتریکی آن دارد. لذا باهدف یکنواخت کردن توزیع میدان، می­توان طول بهینه سپرهای پوشش عایقی برق‌گیر را به دست آورده و شدت تنش­های الکتریکی بالا در مجاورت ترمینال­های برق‌گیر را کاهش داد. روش دیگر برای کاهش شدت میدان استفاده از یک لایه‌ی ریزدانه­ی اکسیدروی است که به دلیل غیرخطی بودن رسانایی آن باعث کاهش شدت میدان الکتریکی روی سطح پو...

اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n- با محدوده گاف انرژی پهن ev4/3-2/3 می باشد. چون اکسید روی دارای فاصله بین ترازی پهن درمحدود? مرئی است، بعنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی? واریستورها، دستگاه های موج اکوستیکی سطح(saw) ، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روش های متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده...

چکیده : نانوذرات اکسید روی با ساختار هگزاگونال، یک نیمه هادی است که به خاطر خواص الکتریکی و اپتیکی و مکانیکی ویژه اش، در سالهای اخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این پایان نامه، ابتدا ساختار بلوری و خواص الکتریکی و کاربردهای اکسیدروی را مرور کرده، سپس به بررسی خواص لایه های نازک می پردازیم. به منظور پیدا کردن روش مناسب برای ساخت نانوذرات اکسیدروی انواع روشهای ساخت و تحقیقات انجام شده را مورد ب...