در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای ni و cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (xrd) تعدادی از لایه های نازک ni/cu بیانگر ساختار چند...

در این پایان نامه ابتدا نانوذرات دی اکسیدتیتانیوم )2(tio با ضخامت 10 نانومتر بر روی زیرلایه ای از جنس کوارتز لایه نشانی شدند و سپس نانوذرات نقره (ag) با ضخامت 40 نانومتر روی دی اکسیدتیتانیوم با روش کندوپاش لایه نشانی شدند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت و برای تابع دی الکتریک این دولایه ای بازه ای بدست آوردیم. خواص ساختاری نقره-دی اکسیدتیتانیوم با الگوی پراش ا...

در این تحقیق لایه نازکی از نانوذرات تیتانیم دی‏ اکسید با متوسط قطر ذرات nm8 بر روی شیشه تهیه و خواص بلوری و نوری آن قبل و بعد از کلسینه کردن بررسی گردید. الگوی XRD با زاویه پایین نشان داد که لایه نازک تیتانیم دی ‏اکسید قبل از کلسینه کردن دارای ساختار مزو حفره ای است و بر خلاف معمول، کلسینه کردن سبب افزایش طبیعت مزو حفره ای آن شده است. الگوی XRD با زاویه پایین لایه نازک تیتانیم دی‏ اکسید قبل و ب...

لایه?های نازک اکسیدآهن با ضخامت 300 نانومتر به روش لایه ?نشانی الکتروشیمیایی بر روی شیشه رسانا FTO �نشانده و در دمای 300 درجه سانتی?گراد پخت شده?اند. به منظور تعیین ساختار، مورفولوژی سطح ، بررسی خواص الکتروکرومیک و اپتیکی لایهنازک اکسید آهن به ترتیب از آنالیزهای XRD،SEM ، ولتامتری چرخه?ای (CV)، کرونوآمپرومتری (CA) و �UV/Visاستفاده گردید. نتایج نشان می?دهند که لایه نازک اکسید آهن با فاز کریستالی...

لایه نازک با ترکیب شیمیایی Ti45Cu35Zr15Sn5 بوسیله روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم در اتمسفر آرگون و در دمای محیط تهیه گردید. بررسی ریزساختار توسط پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ الکترونی عبوری حاکی از وجود ساختار آمورف در لایه های نازک پس از کندوپاش می باشد. در این مقاله رفتار و سینتیک بلوری شدن لایه نازک شیشه ای با استفاده از آنالیز گرماسنجی روبشی تفاضلی بصورت همدما و غیرهمدما مورد بررسی قرار گرف...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این مقاله یک مدل ساده محاسباتی امواج اسپین در لایه مغناطیسی از دو لایه ایهای فرو / پادفرومغناطش ارایه می گردد. در این مدل, لایه فرومغناطش به عنوان یک تک لایه در نظر گرفته می شود و اثرات لایه پادفرومغناطش, ناهمسانگردی تک جهتی, روی لایه فرومغناطش در میدان موثر وارد بر هر اسپین منظور می گردد. لایه های نازک صفحات دو بعدی تصور می شود. در این مدل جفت شدگی مبادله ای و برهمکنشهای دو قطبی در لایه مغن...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این تحقیق با استفاده از خشک کن آزمایشگاهی جابه جایی هوای داغ، خشک کردن ورقه ای نازک برش های سیب زمینی، مدل سازی گردید. هدف از این پژوهش، بررسی سینتیک خشک کردن و ارائه ی مدل ریاضی مطلوب سیب زمینی با استفاده از آنالیز معادله ی رگرسیون بود. آزمایش ها در دو سطح دمایی 65 و70 درجه ی سانتیگراد در سه تکرار، انجام گردید. سه مدل ریاضی سینتیکی استاندارد بر داده های تجربی برازش داده شد و ارزیابی مدل ها ...