با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

کشش بازار از یکسو و فشار فناوری از سوی دیگر همواره باعث رشد و شکوفایی مستمر صنعت قطعه سازی در دنیا شده است. به منظور کاهش هزینه های ساخت و افزایش قابلیت های عملکردی، حداقل ابعاد قابل ایجاد بر روی ویفرهای نیمه هادی (به ویژه سیلیکون) باگذشت زمان کاهش یافته و امروزه به حد چند ده نانومتر رسیده است. برخلاف انتظارات اولیه ساخت قطعات سیلیکونی در ابعاد نانومتری از یکسو هزینه گزاف داشته و از سوی دیگر تو...

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...

اسپینترونیک یکی از زمینه¬های نوظهور علم نانو است که هدفش مطالعه نقش اسپین الکترون در فیزیک ماده چگال می¬باشد. در این پایان نامه به بررسی دو شاخه جدید اسپینترونیک می¬پردازیم. در بخش مدارهای اسپینی، هدف محاسبه اندازه جریان اسپینی در دو مدار اسپینی π و t شکل با در نظرگرفتن دو نانوکانال غیرمغناطیسی متفاوت از جنس طلا و مس می¬باشد. بر اساس نتایج بدست آمده در این پایان¬ نامه جریان اسپینی شاخه سری با ک...

اسپینترونیک یا الکترونیک بر پایه ی اسپین، شامل، مطالعه، کنترل و دستکاری درجات آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. در این پایان نامه، روی اصول فیزیکی اسپینترونیک که دربرگیرنده ی تولید قطبش اسپینی حامل ها، دینامیک اسپینی و انتقال اسپین قطبیده در نیمه رساناها و فلزات می باشد، بحث شده است، همچنین اثرات مختلف تزریق اسپین و خصوصیات مواد را بررسی کرده و نتایج آن را برای سیستم های چندلایه ای به کار...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

با استفاده از روش ماتریس انتقال بصورت نظری به مطالعه‌ی خواص ترابردی اسپینی در ابرشبکه‌ی سیلیسینی در حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبا‌ی خارجی و کرنش می‌پردازیم. به دلیل حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی، رسانش اسپینی و چرخش اسپینی را می‌توان با قدرت کرنش و برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی تنظیم کرد. برای مقادیر خاصی از قدرت اسپین-مدار راشبای خارجی الکترون‌ها فقط در صورتی که چرخش کامل اسپینی انجام...