فیلم نازک (نازک لایه)، لایه‌ای از مواد آلی با ضخامتی در حد نانومتر تا میکرومتر است. سنتز کنترل‌شده فیلم‌های نازک موضوع مهمی در کاربردهای آنهاست. فیلم های نازک آلی با ضخامت نانومتری، ساختارهایی مفید برای کاربرد در حسگرها، شناساگرها، نمایشگرها و اجزای مدارهای الکترونیکی به‌شمار می‌آیند. لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت از روش‌های کاربردی تهیه فیلم‌های نازک محسوب می‌شوند. در لایه نشانی چرخشی، نیر...

برای رشد فیلم های فرانازک، عواملی مانند تونل زنی، جریان نشتی، نفوذ اتم های سبک از دیواره ی محفظه فرا خلأ، استحکام و مقاومت در محفظه ها را کاهش می دهد. از آن جایی که بیشتر نواقص مواد در لایه سطحی آن ها رخ می دهد که ریزساختارهای سطحی بر بدنه ظرف های فراخلأ می تواند بر ویژگی های نانوساختاری و ماندگاری آن تأثیر بگذارد. در همین راستا به تأثیر شرایط در سنتز سل- ژل نانوبلورک های نیکل بر آلیاژ فولاد زن...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

در این مقاله، فرآیند لایه نشانی فیلم های نازک طلا، به کمک روش تبخیر حرارتی شبیه سازی شد. برای این منظور از نرم افزار COMSOL Multiphysics استفاده گردید. مدل سه بعدی در محیط نرم افزار ایجاد شده و هندسه، تحلیل مش ها، شرایط مرزی و روابط مورد نیاز معرفی و مورد مطالعه قرار گرفتند. ضخامت، چگالی، شار گرما، فشار و سایر پارامتر های مرتبط با لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفتند. با استفاده از رگرسیون صفحه ای...

دارورسانی به شکل خوراکی، به دلیل پذیرش زیاد بیمار از با اهمیت ترین روش های دارورسانی است. زیس تدسترس پذیری و پذیرش کم دراطفال، سالمندان و بیمارانی که دارای مشکل بلع هستند، سبب شد تا قرص های سریع ح لشونده وارد بازار شوند. ولی این قرص ها، دارای زیس تدسترس پذیری کمی هستند، در نتیجه فیلم های دهانی با انعطاف پذیری مناسب، زیس تدسترس پذیری زیاد و راحتی استفاده، مورد توجه قرار گرفتند و به عنوان جای...

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

در این کار ویژگیهای ساختاری ، مورفولوژیکی ،الکتریکی و اپتوالکترونیکی فیلم های نازک نانوکریستالی cdo ، cdo:al ، cdzno ، cds ، cds:cu و cdzno بمنظور کاربرد در ابزار اپتوالکترونیکی نوین که با روش غوطه وری سل – ژل تهیه گردیده اند به کمک آنالیزهای xrd، afm، sem ،edx ، xps ، pl ، بیناب نگاری uv-vis. و سنجش اثر هال مورد مطالعه قرار گرفته است. اثر پارامترهایی مانند دمای بازپخت و درصد آلایش بر روی ویژگی...

دارورسانی به شکل خوراکی، به دلیل پذیرش زیاد بیمار از با اهمیت ترین روش های دارورسانی است. زیس تدسترس پذیری و پذیرش کم دراطفال، سالمندان و بیمارانی که دارای مشکل بلع هستند، سبب شد تا قرص های سریع ح لشونده وارد بازار شوند. ولی این قرص ها، دارای زیس تدسترس پذیری کمی هستند، در نتیجه فیلم های دهانی با انعطاف پذیری مناسب، زیس تدسترس پذیری زیاد و راحتی استفاده، مورد توجه قرار گرفتند و به عنوان جای...

در این مقاله، فرآیند لایه نشانی فیلم های نازک طلا، به کمک روش تبخیر حرارتی شبیه سازی شد. برای این منظور از نرم افزار comsol multiphysics استفاده گردید. مدل سه بعدی در محیط نرم افزار ایجاد شده و هندسه، تحلیل مش ها، شرایط مرزی و روابط مورد نیاز معرفی و مورد مطالعه قرار گرفتند. ضخامت، چگالی، شار گرما، فشار و سایر پارامتر های مرتبط با لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفتند. با استفاده از رگرسیون صفحه ای...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...