در این کار اثر دمای زیرلایه، فلوی گاز اکسیژن و زاویه زیرلایه بر خواص اپتوالکتریکی، ساختاری و ریخت شناسی سطحی اکسید قلع خالص به منظور دست یابی به یک اکسید رسانای شفاف نانوساختار برای کاربردهای سلول خورشیدی بررسی شد. بهترین نتایج در دمای زیرلایه ?c 500 با فلوی اکسیژن sccm 200-100 و در فاصله cm 5 از پیش ماده بدست آمد. در گام بعدی تلاش کردیم تا اکسید قلع آلائیده با نیتروژن با رسانندگی نوع p بدست آ...

فیلم های نازک اکسید تنگستن با استفاده از محلول آبی پروکسوتنگستیک اسید از طریق تکنیک الکتروانباشت روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده با اکسید قلع لایه نشانی می شوند. فیلم ها بر حسب تابعی از دمای بازپخت (°c60، °c100،°c250 و°c400)بررسی می شوند. فیلم ها به وسیله میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی، چرخه ولتامتری واسپکترومتر uv-visible اندازگیری می شوند. فیلم ها عبور بالایی در ناحیه مرئی از خود نشان دادند. ...

در این تحقیق، لایه‌های نازک نانوساختار اکسید قلع خالص و آلاییده شده با فلز روی به روش لایه‌نشانی اشعه الکترونی لایه‌نشانی شدند. پراش اشعه ایکس از لایه‌های نازک ایجاد شده وجود اکسید قلع آمورف با ترکیب شیمیایی (SnO) را نشان داد. سیکل عملیات حرارتی در دمای °C 500 و به مدت 10 ساعت بر روی فیلم‌های نازک تشکیل شده انجام شد که منجر به ایجاد ساختار تتراگونال دی اکسید قلع (SnO2) نانوساختار شد. تصاویر میک...

در تحقیق حاضر سنتز و بررسی خواص نانوساختارهای اکسید قلع ایندیم (ito) به روش شیمیایی تر مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوذرات اکسید قلع ایندیم با استفاده از نمک های کلرید قلع و کلرید ایندیم و عامل رسوب دهنده آمونیاک به دو روش سل – ژل و هم رسوبی تهیه شدند. با استفاده از روش سل – ژل نانوذرات اکسید قلع ایندیم در دماهای مختلف سنتز شدند و تاثیر تغییر دما بر نانوذرات سنتز شده مورد بررسی قرار گرفت. در ر...

در این کار تجربی لایه‌های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع  (ITO) با ترکیب‌های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای نهشته شدند. لایه‌ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای Cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...

در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع  (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...

اکسیدهای نیمه رسانا باساختار نانویی، به دلیل خواص منحصربه فرد فیزیکی شان در اثرات تحدید کوانتومی، توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. از میان نیمه رساناها دی اکسیدقلع (sno2) با گاف انرژی پهن (ev 3.6 دردمای k 300)، یک ماده کاربردی کلیدی می باشدکه به طور گسترده ای برای وسایل اپتوالکترونیک، سنسورهای گازی، الکترودهای رسانای شفاف و کاتالیست های پشتیبان به کارمی روند. در این تحقیق فیلم های نازک دی ...

در این مقاله، نحوه ساخت و ارزیابی حسگرهای گاز مبتنی بر لایه نازک اکسید قلع نانوساختار به دو روش تبخیر گرمایی (نوع i) و کَند و پاش (نوع ii) نسبت به اتانول بررسی شده است. لایه نازک اکسید قلع برروی زیرلایه هایی از ویفر سیلیکن ایجاد و برروی آن ها عملیات حرارتی انجام شد. با استفاده از روش های ساختارسنجی و تحلیل مختلف sem)، afm، xrd و (eds ریزساختار بدنه های نیمه هادی مورد ارزیابی قرار گرفت. تصاویر se...

در این نوشتار حساسیت «حسگر گاز مقاومتی»که از لایه‌ی نازک اکسید قلع، ساخته‌شده نسبت به چند گاز قابل اشتعال مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور، لایه‌ی نازک اکسید قلع آمورف به روش تبخیر توسط باریکه‌ی الکترونی در خلأ بر روی زیرپایه‌ی کوارتز نشانده شد. فرایند تبلور لایه‌ی حاصل در دمای 300 به‌مدت ۱۴۰ دقیقه صورت گرفت. ریزساختار لایه‌ها با X‌R‌D بررسی، و اندازه‌ی متوسط دانه‌های متبلور اکسید قلع 1...

اکسید قلع، نیمه رسانای نوع-n با گاف نواری پهن می باشد. این مواد در شکل فیلم نازک دارای مقاومت الکتریکی پایین ، تراگسیلندگی بالا در ناحیه مرئی و بازتابندگی مناسب در ناحیه فروسرخ می باشد . همچنین به علت پایداری خوب در تکنولوژی الکترونیک نوری نظیر پوشش های بازتابنده ، فیلتر های uv و ir ، لایه های حرارتی ، الکترودهای شفاف در سلول های خورشیدی ، نمایشگر های صفحه تخت و نیز به عنوان سنسور های گازی مورد...