در این پژوهش، الکترونی را در نظر گرفته‌ایم که با یک فونون اپتیکی طولی در یک نقطه کوانتومی مثلثی با ناخالصی کولنی جفت شده است. ابتدا، ویژه مقادیر و ویژه توابع حالت پایه و حالت اولیه برانگیخته الکترون با روش وردشی محاسبه شده و سپس آنتروپی این کیوبیت نفطه کوانتومی برای مقادیر مختلفی از پارامتر ناخالصی کولنی، شعاع پولارون و قدرت جفت شدگی الکترون و فونون اپتیکی طولی بررسی شده است. تحلیل‌های عددی ‌نش...

به کمکِ تقریب دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه ای از جنس gaas در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی gaxal1-xas بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( so1, so2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردارِ موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.

بررسی خواص الکترونی و نوری نانو ساختارهای کوانتومی و تأثیر برهم کنش الکترون- فونون بر روی آن ها موضوع جذابی در فیزیک ماده چگال به شمار می آید. در این رساله سعی داریم تا تأثیر برهم کنش الکترون- فونون را بر روی خصوصیات الکترونی و نوری چندین نانو ساختار کوانتومی مانند سیم کوانتومی حلقه ای، مثلثی و نقطه کوانتومی نیم کروی مورد مطالعه قرار دهیم. همچنین اثر راشبا و حضور میدان مغناطیسی بر روی انرژی حا...

تئوری پراکندگی برای ترابرد، ارائه دهنده یک چارچوب نظری دقیق برای توصیف سیستم‏های طبیعی می‏باشد. این روش اجازه می‏دهد تا محاسبه هر مقدار مورد توجه را تحت شرایط عدم تعادل با استفاده از یک فرمت ساده از مکانیک آماری تعادلی، بدون نیاز به حل معادلات جنبشی پیچیده، محاسبه کنیم. در این مطاله نرخ پراکندگی الکترونی با استفاده از روش اختلالی در گستره دمای100 تا 600 کلوین محاسبه شده است. پراکندگی‏های فونون ...

در این پایان نامه، کارایی تبدیل توان گرمایی به توان الکتریکی یا کمیت شایستگی در نانو ساختارهای دو بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. در صورتی که بتوان به کمیت شایستگی بالایی دست یافت، ماده ای وجود خواهد داشت که بوسیله ی آن می توان گرما را به الکتریسیته تبدیل کرد، واضح است که به این ترتیب می توان از گرمای اتلافی به خوبی استفاده نمود. به این منظور، با حل معادله انتقال بولتزمن و تابع توزیع غیر تعادل...

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

هدف از این تحقیق بررسی رفتار دمایی ضریب هدایت حرارتی نانولوله های تک جداره زیگزاگ با تغییرات دما وشعاع نانولوله و شدت برهمکنش الکترون- فونون می باشد.جهت بررسی دینامیک الکترون در بلور از مدل هولشتاین که معادل برهمکنش الکترون- فونون اپتیکی، انرژی جنبشی فونون ها و مدل تنگ بست است استفاده می شود. برای یافتن ضریب هدایت حرارتی از روش تابع گرین و نظریه پاسخ خطی کوبو و از تقریب دوم اختلال برای محاسبه خ...

نتایج تجربی نشان داده است که وجود مرز دانه ها اثراتی بر روی برخی خواص الکتریکی، مکانیکی و حرارتی گرافین داشته است؛ ازجمله کاهش تحرک الکترونیکی، رسانندگی گرمایی و کاهش مقاومت الکتریکی. ازآنجایی که گرافین دوبعدی است و به اندازه یک اتم کربن ضخامت دارد، مرز دانه ها در گرافین هویت یک بعدی دارند. فونون های صوتی و اپتیکی حاملان گرما در بلور هستند، مرز دانه ها سبب پراکندگی فونون ها شده و به این ترتیب ی...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...