اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف ، حسگرهای گازی، واریستورها، دستگاههای موج اکوستیکی سطحی (saw)، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روشهایی متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسی...

مواد cuinte2 و cuinse2 از نوع مثبت (p ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال rh و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در p-cuinte2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk  170 و تغییر  rh، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k 200-7...

از بین روشهای مختلف تهیه لایه های نازک سلنیدقلع، ساد ترین و ارزانترین روش، همان روش حمام شیمیایی است که قادر است در دمای اتاق فیلمهای با کیفیت خوب را برای کاربرد در قطعات الکترونیکی تولید نماید. در این کار تجربی ضریب ثابت هال ،مقاومت ویژه،رسانندگی الکتریکی، تحرک پذیری و چگالی حاملهای بارو خواص ساختاری لایه های نازک سلنیدقلع که با روش نهشت حمام شیمیایی(cbd) با 2/0± 12=ph در دمای اتاق روی زیرلایه...

نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، در حالیکه tin یک رسانای خوب است در نتیجه افزایش میزان aln در ترکیب باعث افزایش گاف انرژی ترکیب شده، که این امر باعث اف...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

هدف از این پروژه تعیین مکانیزم پراکندگی در تک کریستال insb نوع n و p می باشد. برای این منظور از دمای 77 درجه کلوین تا 360 درجه کلوین، آزمایش اثر هال را با میدانی به شدت 7900 گوس ، انجام داده و به طور همزمان تغییرات ثابت هال و هدایت الکتریکی و تحرک را نسبت به دما مشخص نموده ایم . همچنین تعیین دمای دبای و مکانیزم پراکندگی از روی منحنی تغییرات تحرک نسبت به دما، تعیین انرژی نوار قدغن و دمای همپوشی ...

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH<...

برای بررسی اثر هال در نمونه های بس بلوری ابررسانای دمای بالای ybco آلاییده به نانولوله های کربنی (cnt)، ولتاژهای طولی و عرضی در میدان های مغناطیسی مختلف(0-9t)، در حالت گردابی اندازه گیری شد. ما یک تغییر علامت ضریب هال را نزدیک 3t برای نمونه خالص ybco و یک تغییر علامت دوگانه را نزدیک 3t و 5t برای نمونه ybco آلاییده به 0.7wt%cnt یافتیم. می توان نتیجه گرفت که آلایش cnt سبب میخکوبی قوی گردابه ها در...