هدف این پایان نامه، مطالعه ی خواص ساختارالکترونی مولکول سیلیکن شامل چگالی حالت ها، ساختار نواری و خواص اپتیکی شامل بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک در حالت قطبیده و غیرقطبیده است. این پژوهش برمبنای نظریه ی تابع چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته انجام گرفته و برای انجام محاسبات از کد siesta استفاده شده است. ابتدا خواص الکترونی مولکول سیلیکنsilicene در غیاب میدان الکتریکی خارجی محاس...

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن ...

امروزه نانولوله های کربنی در بسیاری از ادوات مدرن به دلیل بهبودهایی که در اثر ویژگی های منحصر بفردشان ایجاد می کنند، کاربرد یافته اند.  خصوصا در باتری های لیتیم یونی که مشهورترین باتری های قابل شارژ فعلی می باشند، استفاده از نانولوله های کربنی می تواند به مزایای قابل توجهی نسبت به الکترود های تجاری موجود بینجامد. در این مقاله ما از نانولوله های کربنی بر روی بستر سیلیکن با یک لایه مانع از جنس it...

در این تحقیق طراحی و ساخت یک میکرو/نانو مکانیزم مصنوعی برگرفته از طبیعت با قابلیت چسبندگی با استفاده از سیلیکن متخلخل مورد بررسی قرار گرفته است. در قرن اخیر تلاش هایی در راستای تولید سطح چسبنده مصنوعی صورت گرفته است. چنین سطوح چسبنده ای قادرند توانایی-هایی از قبیل چابکی و قدرت مانور بالا برای روبات های سیار ایجاد کنند. این روبات ها به نوبه خود می توانند در مواردی از قبیل عملیات امداد و نجات، کا...

روشی نوین برای لایه نشانی کاتالیست نیکل با استفاده از محلول گزارش می شود. لایه نشانی کاتالیست مرحله ای ضروری در رشد نانولوله های کربنی می باشد. در این مقاله پس از لایه نشانی کاتالیست، رشد نانولوله های کربنی بر روی بستر سیلیکن و اکسید سیلیکن انجام گرفت. نتایج حاصل با استفاده از میکروسکوپ روبشی الکترونی، رامان و پراش اشعه x مورد مطالعه قرار گرفت. این روش دارای قدرت انتخاب بالایی نسبت به اندازه نا...

در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول...

در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...

در این تحقیق فیلم های نازک اکسید روی با تکنیک لایه نشانی چرخشی سل- ژل بر روی زیرلایه ی سیلیکنی با صفحه ی ترجیحی(0 0 4 )، لایه نشانی شد. خواص ساختاری، اپتیکی و مورفولوژی سطح آنها به ترتیب با استفاده از اندازه گیری های پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی فوتولومینسانس (pl) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدان (fesem) بررسی شد. دمای بازپخت 600 درجه سانتی گراد انتخاب شد. نتایج حاصله بیانگر وجود ساختار ...

سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کا...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...