در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور dm-dg ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق hfo2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (c-dg) شده است. ناحیه عایق hfo2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

ژرمانیوم یکی از مهم‌ترین عناصر در صنایع پیشرفته و صنایع الکترونیکی است که در سال‌های اخیر کاربردهای زیادی داشته است. در این مقاله مطالعات انجام شده با استفاده از تاثیر سینرژیسم دو حلال آلی لیکس 63 و D2EHPA برای جداسازی ژرمانیوم از محلول آبی ارایه می‌شود. با در نظر داشتن این نکته که روش هیدرومتالورژی از مهم‌ترین روش‌های استحصال این عنصر است، استخراج حلالی این عنصر بررسی شد و تاثیر نوع استخراج‌کن...

هدف از پژوهش حاضر، تولید پوشش محافظ ژرمانیوم-کربن به وسیله فرآیند رسوب دهی شیمیایی از بخار به کمک پلاسما (pecvd) با استفاده از پیش ماده های گازی ژرمان (geh4) و متان (ch4) و سپس مشخصه یابی آن است. برای این منظور، از میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem) مجهز به طیف سنج تفکیک انرژی (eds)، پراش سنج پرتو ایکس (xrd)، طیف سنج مادون قرمز تبدیل فوریه (ftir)، طیف سنج فتوالکترون پرتو ایکس (xps)، طی...

هدف از پژوهش حاضر، تولید پوشش محافظ ژرمانیوم-کربن به وسیله فرآیند رسوب‌دهی شیمیایی از بخار به کمک پلاسما (PECVD) با استفاده از پیش‌ماده‌های گازی ژرمان (GeH4) و متان (CH4) و سپس مشخصه‌یابی آن است. برای این منظور، از میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) مجهز به طیف‌سنج تفکیک انرژی (EDS)، پراش‌سنج پرتو ایکس (XRD)، طیف‌سنج مادون‌قرمز تبدیل فوریه (FTIR)، طیف‌سنج فتوالکت...

در لایه های نازک اکسید ژرمانیوم، پس از تهیه لایه نازک در اثر بازپخت، نانوساختارهای ژرمانیوم تولید شدند. نوارهای فوتولومینسانس در ناحیه های مرئی و فروسرخ به ترتیب در نمونه های بازپخت شده در 350 درجه سانتیگراد و 400 درجه سانتیگراد مشاهده شدند. این گستره های متفاوت فوتولومینسانس به ترتیب به وجود نقص های ساختاری در ماتریس اکسید و اثر حبس کوانتومی در نانوساختارهای ژرمانیوم نسبت داده می شوند. زمان وا...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

استخراج و تولید عناصر کمیاب امروزه در دنیا یکی از فناوری هایست که رد زمینه معدن و فراوری مواد معدنی حایز اهمیت است.ژرمانیوم جز عناصری است که به علت نادر بودن،استفاده فراوان آن به عنوان نیمه رسانا و کاربرد در صنایع الکترونیکی ،بیش از پیش مورد توجه و بهره برداری از منابع قابل برداشت،قرار گرفته است.در مقاله حاضر،به ارزیابی مقدار ژرمانیوم در یکی از منابع مهم آن ،یعنی زغال سنگ و خاکستر زغال سنگ ،در ...

  استخراج و تولید عناصر کمیاب امروزه در دنیا یکی از فناوری هایست که رد زمینه معدن و فراوری مواد معدنی حایز اهمیت است.ژرمانیوم جز عناصری است که به علت نادر بودن،استفاده فراوان آن به عنوان نیمه رسانا و کاربرد در صنایع الکترونیکی ،بیش از پیش مورد توجه و بهره برداری از منابع قابل برداشت،قرار گرفته است.در مقاله حاضر،به ارزیابی مقدار ژرمانیوم در یکی از منابع مهم آن ،یعنی زغال سنگ و خاکستر زغال سنگ ،...