در این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات الکتریکی و گرمایی نانو ترانزیستورهای سیلیسیم ژرمانیم روی عایق و ارائه ی چندین ساختار نوین برای آن ها پرداخته ایم. با پیشرفت تکنولوژی، اندازه ی ترانزیستورها در مقیاس نانومترخواهند شد تا بتوان از تعداد بیشتری از آن ها در مدارات توان پایین استفاده نمود. کوچک سازی ترانزیستورها، مشکلات الکتریکی و گرمایی زیادی را از قبیل اثرات کانال کوتاه، اثرات حامل های داغ...

این مقاله نانوساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4SiGeP) را در فاز پنج­ گوشی با استفاده از محاسبه ­های ابتدا به ساکن مبتنی بر نظریه­ ی تابعی چگالی و با بهره­ گیری از نرم ­افزارهای وین و کوانتوم اسپرسو و متریالز استودیو پیش­ یابی نموده و خواص الکتریکی آن را مورد بررسی قرار می ­دهد. پایداری ترمودینامیکی، دینامیکی و گرمایی این نانو­ساختار به ترتیب با محاسبه­ ی انرژی همبستگی ساختار، نم...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

کار تحقیقاتی ارائه شده در این پایان نامه بابی نوین در جهت مطالعات ساختاری و کاربردی کربن بعنوان همگروه نیمه هادیهای شناخته شده سیلیسیم و ژرمانیم ارائه می نماید. بدیهی است که کربن و مشتقات آلوتروپ آن به دلیل خصوصیات و ویژگیهای خاص فیزیکی در قیاس با سایر نیمه هادیها از جمله گستره مقاومت مکانیکی، دانسیته اسپینی بالا، قدرت پذیرش آلاینده های متعدد و ... موقعیت جدیدی برای پژوهشهای بیشتر بعنوان یک نیم...

با نیاز روزافزون تکنولوژی به سرعت بیشتر، ادوات با سرعت بیشتر جایگزین ادوات کم سرعت شده¬اند. تکنولوژی bjt (bipolar junction transistor) پاسخگویی مناسب نبوده و ترانزیستورهای دو قطبی نامتناجس hbtها (heterojunction bipolar transistor) توانسته¬اند نقص سرعت و توان bjtها را برطرف نمایند از طرفی هزینه ساخت پایین¬¬تری نسبت به ادوات نوری دارند. hbtها از ترکیب مواد گروه چهارم تشکیل می¬شوند، که در این پایا...

ژرمانیم یکی از عناصر استراتژیک است که در محلول‌های آبی صنایع معدنی یافت می‌شود. برای استخراج و انتقال انتخابی ژرمانیم از محلول آبی حاوی کمپلکس‌ساز آنیونی اسیدتارتاریک، به ترتیب از استخراج حلالی و غشای حلال آلی (SLM) توسط استخراج‌کننده Aliquat 336 استفاده شد. پارامترهای موثر در آزمایش‌های استخراج حلالی شامل غلظت استخراج‌کننده، نوع کمپلکس‌ساز و غلظت آن و غلظت فاز استریپ حاوی اسید کلریدریک بررسی ش...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

هدف اصلی این پزوهش آن است که بدانیم آیا نانولوله بورنیتریدبه عنوان حسگرنیتروژن مونوکسید،مناسب است.اگردوعنصرژرمانیم وفسفررابه عنوان ناخالصی درسامانه جایگزین کنیم،میزان جذب درحضوراین دوعنصرچه تغییری می کند. در این پژوهش طول و زوایای پیوندی وپارامترهای رزونانس مغناطیس هسته (nmr) ورزونانس چهار قطبی هسته (nqr ) و همچنین انرژی جذب مولکول نیتروژن مونو اکسید برای نانو لوله های بور نیترید (4و4) آرمچی...