نتایج جستجو برای: سونش الکتروشیمیایی
تعداد نتایج: 2835 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله، هدف، محاسبهی میدان در انتهای یک مسیر باردار در آشکارساز سونش الکتروشیمیایی ردپای هستهای میباشد. برای حل این مسئله از حل عددی معادلهی لاپلاس استفاده شده است. با حل این معادله و با در نظر گرفتن یک پتانسیل مشخص و معین در یک ناحیهی مرزی میتوان علاوه بر محاسبهی شدت میدان در انتهای مسیر باردار، عوامل مؤثر بر شدت میدان را مورد بررسی قرار داد.
در این تحقیق طراحی و ساخت یک میکرو/نانو مکانیزم مصنوعی برگرفته از طبیعت با قابلیت چسبندگی با استفاده از سیلیکن متخلخل مورد بررسی قرار گرفته است. در قرن اخیر تلاش هایی در راستای تولید سطح چسبنده مصنوعی صورت گرفته است. چنین سطوح چسبنده ای قادرند توانایی-هایی از قبیل چابکی و قدرت مانور بالا برای روبات های سیار ایجاد کنند. این روبات ها به نوبه خود می توانند در مواردی از قبیل عملیات امداد و نجات، کا...
در این مقاله نمونه های مختلفی از سیلیسیم نوع p به روش آنودی سازی الکتروشیمیایی در محلول اسید فلوریدریک (hf) متخلخل شد. معلوم گردید که بسته به مقدار غلظت hf چگالی جریان آنودی سازی و زمان سونش میزان متخلخل برروی سیلیسیم متفاوت بود. سپس یک اتصال اهمی آلومینیوم بر روی یک طرف سیلیسیم نوع p (طرف غیرمتخلخل) و یک اتصال از طلا بر روی طرف متخلخل آن ساخته شد. این نمونه ها به عنوان یک حس گر مورد استفاده قر...
در کار حاضر، قالب اکسید آلومینیوم آنده شده به وسیله روش آنده نرم شتاب دار و در اسید فسفریک 6/0 مولار و با ولتاژ آنده 175 ولت ساخته شد. قطر حفره ها توسط سونش شیمیایی نمونه ها در اسید فسفریک 5/0 مولار و در مدت زمان های مختلف 8، 16، 32 و 40 دقیقه افزایش داده شد. بررسی تصاویر میکروسکوپ الکترونی نشان داد که قطر حفره ها با زمان سونش به صورت نمایی افزایش می یابد. با لایه نشانی الکترودهای نقره روی نمون...
در این کار نمونه های سیلیسیوم متخلخل از سونش الکتروشیمیایی ویفر سیلیسیوم نوع p با ساختار تک بلوری با جهت (100) به قطرcm ?/0 ± ?? و مقاومت ویژه ?.cm ?/?ـ?/?، در محلول الکترولیت برمبنای اسید هیدروفلوریک تهیه شده اند. نمونه های متخلخل تحت شرایط آندی سازی مختلف از جمله زمان آندی سازی و غلظت hf بدست آمدند. خواص الکتریکی dc قطعات ساندویچی ساخته شده از سیلیکان متخلخل(ps) که با نانو لایه های کلروایند...
سیلیکان متخلخل (ps) ماده ای است که توسط فرآیند سونش با روش آندیزاسیون الکتروشیمیایی سطح سیلیکان بدست می آید.این ماده خصوصیات متفاوتی را در مقایسه با سیلیکان از خود بروز می دهد،برای مثال بالا بودن نسبت سطح به حجم آن، که منجر به به کارگیری اش به عنوان حسگر گازی شده است. به منظور بهبود خواص الکتریکی سیلیکان متخلخل، برومو ایندیم فتالو سیانین (brinpc) روی آن لایه نشانی شده است، در نتیجه قطعه ی ساند...
میکروسکوپ های afm توانایی خوبی در تصویر برداری از سطوح اکثر مواد رسانا، نیمه رسانا، کریستال های فوتونی وعایق ها را دارند که امروزه از جمله ابزار های مهم در حوزه نانو تکنولوژی محسوب می شود. از آن جایی که تکنولوژی ساخت cantilever ها که در میکروسکوپ های نیروی اتمی afm به عنوان یک قطعه، بسیار هزینه بر، وارداتی است و مخصوصا اطلاعات مربوط به دانش فنی آن نیز عملا موجود نمی باشد، در این تحقیق به مطالعا...
آشکارسازی و اندازه گیری انواع تابش های محیطی، از سال ها پیش مورد توجه بوده است. در میان روش های مختلفی که به این منظور پیشنهاد شده است، آشکارسازی رد ذرات باردار در مواد جامد، به دلیل مزیت های منحصر بفردش از جایگاه ویژه ای برخوردار است. آشکارسازی رد منوط به فرآیندی شیمیایی است، که موجب گسترش رد پنهان می شود. این فرآیند که به "سونش آشکارساز" موسوم است، امکان مشاهده ی رد را با میکروسکوپ نوری فراهم...
بلور تری گلایسین سولفات خالص (triglycine sulfate, tgs) و همراه با افزودنی کلریدسدیم (tgs-nacl) در جهت <001> به روش sankaranarayanan–ramasamy (sr) رشد داده شد. بلورهای رشد یافته با جذب اتمی، عبوردهی نوری، طیف سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، سونش سطح و ریزسختی سنجی مورد بررسی قرار گرفتند. بلور همراه با افزودنی عبوردهی بیشتری نسبت به نمونه خالص در تمام ناحیه طیف uv-vis. نشان داد. همچنین مشاهده شد که افزو...
بلور تریگلایسین سولفات خالص (triglycine sulfate, TGS) و همراه با افزودنی کلریدسدیم (TGS-NaCl) در جهت به روش Sankaranarayanan–Ramasamy (SR) رشد داده شد. بلورهای رشد یافته با جذب اتمی، عبوردهی نوری، طیف سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، سونش سطح و ریزسختی سنجی مورد بررسی قرار گرفتند. بلور همراه با افزودنی عبوردهی بیشتری نسبت به نمونه خالص در تمام ناحیه طیف UV-Vis. نشان داد. همچنین مشاهده شد که افزودنی ک...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید