توسعه ی سوئیچ های کاملاً نوری که در آن ها باریکه های خروجی به وسیله ی یک باریکه ی سوئیچ کننده ی ضعیفتر کنترل می شود با اهمیت می باشد. همچنین اگر باریکه های خروجی از باریکه های ورودی قوی تر باشند یک مزیت برای سوئیچ بشمار می رود. زیرا این خصوصیات سوئیچ را دارای قابلیت چیدمان آبشاری می نمایند، یعنی خروجی یک سوئیچ می تواند برای راه اندازی سوئیچ بعدی بکار برده شود. این خصیصه لازمه ی کاربرد سوئیچ در...

با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته و فرمولبندی لانداور، اثر دما بر مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) مولکول c60 در سیستم فلز/c60/ فلز به صورت عددی بررسی می شود. علاوه بر این، تاثیر قدرت جفت شدگی الکترون- فونون بر خواص الکترونی این مولکول نیز مورد بحث قرار می گیرد. مشخصه های i-v مولکول در دو حد دمایی t=3k و t=300k تعیین می شوند. نتایج ما نشان می دهد، مولکول c60 که در دماهای پایین خاصیت نیم رس...

در این مقاله، طیف لومینسانس گسیلی از چینش هسته-چند پوسته در نانو سیم‌های نیم رسانای غیر قطبشی  با تقارن شعاعی بررسی شده است. حل خودسازگار معادلات شرودینگر و پواسون پایه اصلی محاسبات عددی برای به دست آوردن توابع موج، تراز‌های انرژی، کج شدگی‌های باند در اثر آلایش مناسب در سیستم و تاثیرات آن در طیف لومینسانس گسیلی از نانوسیم است. نتایج مقاله دارای کاربردهای فراوان در پیش‌بینی نتایج تجربی و عملکرد ...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

نیم رساناهای ترکیبی نانوساختار پایدار در مقابل خوردگی نوری از خانواده ی کادمیم-زینک-سولفید به روش هیدروترمال سنتز شد و برای فرایند تخریب نوری آلاینده ی زیست محیطی متیلن بلو (اکسیداسیون پیشرفته تحت تابش نور مرئی) بکار رفت. شکاف نواری نیم رساناهای سنتزی به کمک مطالعات طیف سنجی مرئی-فرابنفش بازتابی نفوذی به روش کوبلکا-مونک تعیین گردید. در بین نیم رساناهای سنتزی، کمترین لبه ی جذب (بیشترین جابجایی ق...

در این پایان نامه، مشخصه های یک سوده (سوئیچ) پلاسمونی تمام نوری که یک المان کلیدی در شبکه های مخابرات و محاسبات نوری محسوب می شود، بررسی و با استفاده از روش دوبعدی تفاضل محدود در حوزه ی زمان برای محیط های پاشنده و غیرخطی، شبیه سازی می شود.این سوده پلاسمونی تمام نوری بر مبنای ساختار نانوچاک t-شکل نامتقارن و اثر غیرخطی کر عمل می کند. با شبیه سازی خطی، تأثیر تغییر ضریب شکست محیط عایقی ساختار، روی ...

در این پایان نامه بازتابندگی بلور فوتونی متشکل از نیم رسانا های چاه کوانتومی و عوامل موثر بر آن مورد بررسی قرار گرفت و نشان داده شد که بازتابندگی ساختار برای یک پالس اُپتیکی علاوه بر قطبش آن به قطبش پالس دمش، شدت پالس دمش و تأخیر بین پالس دمش و پالس اُپتیکی بازتابشی از ساختار بستگی دارد. لذا ساختار می تواند به عنوان یک کلید اُپتیکی عمل کند. تمامی کلیدهای فوق سریع گامی به سوی نسل آیندة شبکه های اُپت...

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

لایه های نازک اکسید قلع با ناخالصی فلوئور به روش اسپری پایرولیزیز جایگذاری شدند. نمونه ها با پارامترهایی نظیر: نسبت وزنی مختلف، دمای جایگذاری مختلف، مولاریته محلول مختلف تهیه شدند.برای مورد اول، نسبت وزنی فلوئور به قلع(f/sn) با گام های 0/05 از 0 تا 0/3 تغییر نمود. برای موارد بعدی نمونه با نسبت وزنی 0/05: f/sn در سه دمای متفاوت و سه مولاریته متفاوت جایگذاری شد طیف پراش پرتو x برای4 نمونهبا نسبت ...

نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید ایندییم با داشتن گاف انرژی به اندازه ev 24/3 یک اکسید نیم رسانای شفّاف است. افزودن آلاینده کروم به آن باعث شد که این ترکیب نیم رسانای نوع شود و گاف انرژی به اندازه ی ev 01/4 تغییر پیدا کند و برای آلاینده روی، نوع و گاف انرژی ev 29/3 شود. ضرایب شکست استاتیکی و برابر 2 و برابر 9365/1 برای اکسید ایندییم خالص بدست آمد و افزودن آلایش های فوق برای نوع و به ترتیب ا...