نتایج جستجو برای: ساختار کلید خازنی

تعداد نتایج: 73539  

ژورنال: :مهندسی برق و الکترونیک ایران 0
ناصر حسن زاده naser hasanzade محمد دانائی mohammad danaie

کلید­های cmos یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می­روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه­های غیر ایده­آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آست...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
majid ezati mosleh shahed university mohammadreza besmi shahed university

در این مقاله روش جدیدی به نام مدل شش ضلعی منتظم لانه زنبوری برای محاسبه ظرفیت خازنی پراکنده بین رشته سیم های هادی یک حلقه از سیم پیچ و بین رشته و هادی استوانه ای توخالی و همچنین ظرفیت خازنی کل n حلقه از سیم پیچ مولد تراکم شار مغناطیسی حلزونی ارائه می شود. روش ارائه شده روشی تحلیلی مبتنی بر ساختار هندسی رشته سیم های چند لایه در درون یک حلقه از سیم پیچ مولد است. در این روش رشته سیم های سیم پیچ مو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده مهندسی 1390

امروزه بانک های خازنی به طور گسترده در سیستم های توزیع استفاده می شود. از جمله مشکلات مربوط به کلید زنی خازنی می توان به هارمونیک رزونانس، اضافه ولتاژ گذرا و تریپ درایوهای سرعت اشاره کرد. با پیشرفت صنعت و به کارگیری تجهیزات الکترونیک، بارهای مصرف کننده حساس تر شدند و تحت تاثیر اغتشاش ناشی از کلید زنی خازنی قرار می گیرند. از این رو باید اغتشاشات ناشی از کلید زنی بانک های خازنی که از مهم ترین اغت...

درخواست‌ها برای تولید ولتاژ پالسی با دامنه‌های بالا بسیار زیاد شده است درحالی‌که ساختارهای سنتی و ارائه شده در سال‌های اخیر از تعداد ادوات کلیدزنی بالا و منابع ولتاژ با دامنه بالا رنج می‌برند. از این‌رو ساختارهای چندبرابرکننده به‌عنوان ساختارهای جایگزین به‌عنوان تولیدکننده‌های جدید برای توان پالس ارائه شده‌اند. در این مقاله، یک ساختار جدید برای مبدل‌های تولید پالس قدرت ارائه شده است که از یک ور...

ژورنال: مواد نوین 2019

روشی ساده و جدید برای سنتز نانوگل‏های کبالتیت نیکل با استفاده از روش الکتروشیمیایی و عملیات حرارتی در دمای مشخص ایجاد شد. این روش شامل رسوب نشانی همزمان پیش ماده‏های هیدروکسیدی نیکل و کبالت روی زیرلایه فوم نیکلی می‏باشد و در ادامه تبدیل پیش ماده‏ی هیدروکسیدی به اکسیدی با استفاده از عملیات حرارتی منجر به ایجاد ساختار اسپینل کبالتیت نیکل می‏شود. پوشش حاصله با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی(S...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
محمدحسین طهماسبی m. h. tahmasebi 1- department of materials engineering, isfahan university of technology, isfahan, iran1- دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان کیوان رئیسی k. raeissi 1- department of materials engineering, isfahan university of technology, isfahan, iran1- دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان محمدعلی گلعذار m. a. golozar 1- department of materials engineering, isfahan university of technology, isfahan, iran1- دانشکده مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان آنتونیلو ویچنزو a. vicenzo 2- department of chemistry, materials and chemical engineering "g. natta", polytechnic university of milan, milan, italy2- دانشکده مهندسی شیمی و مواد (جولیوناتا)، دانشگاه پلی تکنیک میلان ماسیمیلیانو بستتی2 m. bestetti 2- department of chemistry, materials and chemical engineering "g. natta", polytechnic university of milan, milan, italy2- دانشکده مهندسی شیمی و مواد (جولیوناتا)، دانشگاه پلی تکنیک میلان

در پژوهش کنونی، نانو اکسید دوتایی منگنز - نیکل به روش پتانسیودینامیک در دمای اتاق بر روی فولاد زنگ نزن رسوب داده شد و اثر فرایند آنیل (در دمای 200 درجه سانتی­گراد، به مدت 6 ساعت) بر ریز ساختار و عمل­کرد الکتروشیمیایی شبه خازن تولیدی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان از اثر قابل توجه فرایند آنیل در افزایش ظرفیت خازنی و هم چنین کاهش مقاومت انتقال بار الکترود داشت. تصاویر fesem، وجود نانو ورقه­های...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
shahin goodarzi msc student, department of electrical engineering, school of engineering, tarbiat modares university, tehran, iran reza beiranvand 2assistant professor, of electrical engineering,, tarbiat modares university, tehran, iran mustafa mohamadian associate professor, of electrical engineering,, tarbiat modares university, tehran, iran,

در سالهای اخیر روشهای فعال مبتنی بر مبدلهای کلید-خازنی (scc)، به خاطر عدم حضور عناصر حجیم مغناطیسی، جهت بالانس باتری­ها به طور گسترده­ای مورد استفاده قرار گرفته­اند. بعلاوه، این مبدلها جهت کاهش حجم به راحتی به صورت مجتمع قابل پیاده سازی هستند. با وجود مزایای فوق، مبدلهای scc از معایبی نظیر: تعداد زیاد کلیدهای فعال، جهشهای زیاد جریان، سرعت پائین ایجاد توازن بین ولتاژ سلولها، و تلفات بالای کلیدزن...

هدف از این پژوهش، بررسی رفتار الکترومکانیکی میکرو حسگر‌های فشار خازنی و بررسی اثر اعمال تحریک الکترواستاتیک بر عملکرد و ‏دقت این سیستم‌ها می‌باشد. حسگر به صورت یک صفحه دایرهای انعطاف پذیر در نظر گرفته ‏شده است که یک فاصله اولیه از یک صفحه ‏صلب دارد و بین آن دو خلاء است. در اثر فشار محیط ‏و همچنین اعمال ولتاژ بین دو صفحه، ورق انعطاف پذیر خیز برداشته و به پایه ثابت ‏نزدیک می‌‏گردد. با نزدیک شدن ص...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1389

در این پژوهش دو تقویت کننده کم نویز موج میلیمتری در محدوده های فرکانسی ghz40-30 و ghz31- 26 طراحی شد. هر دوی این تقویت کننده ها دارای دو طبقه با ساختار آبشاری به منظور دست یابی به بهره توان و ایزولاسیون معکوس مناسب می باشد. همچنین در این طراحی از یک فیلتر فاق به منظور صاف کردن بهره توان و سلف های اضافی به منظور حذف خازن های پارازیتی در پهنای باند مورد نظر استفاده شده است. در این پایان نامه از ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید