نتایج جستجو برای: ساختار ورودی

تعداد نتایج: 74378  

Journal: : 2023

ناخالصی ­های پلاسما یکی از عوامل اتلاف انرژی محصور شده در توکامک‌­ها به شمار می‌­روند که این منظر مطالعه و بررسی آن­ها راستای حفظ پایداری پلاسمای توکامک بهبود کیفیت محصورسازی امری ضروری خواهد بود. کار تحقیقاتی منظور ناخالصی‌­های دماوند، تکفام­‌ساز نوری موجود آزمایشگاه دماوند همراه یک آرایه خطی CCD ساختار طیف‌سنج نور مریی گرفته شد. سامانه طیف‌­سنج جدید توسط طول موج­‌های مشخصه لامپ جیوه کالیبره ر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مواد 1392

در این پژوهش به بررسی ریزساختار و رفتار خوردگی مقاطع جوش فولاد زنگ نزن سوپر دوفازی uns s32750 پرداخته شد. برای جوشکاری از فرآیند قوس تنگستن-گاز با قطبیت منفی و فلز پرکنندهaws er2594 استفاده شد. به دلیل اهمیت حرارت ورودی در جوشکاری فولادهای زنگ نزن دوفازی، جوشکاری در سه حرارت ورودی 801 ،987و1298 ژول بر میلی متر انجام شد تا تاثیر حرارت ورودی بر تغییرات ریزساختاری و رفتار خوردگی مقاطع جوش مورد برر...

ژورنال: :فرآیندهای نوین در مهندسی مواد 0
محمدعلی ترحم نژاد دانشجوی کارشناسی ارشد، مهندسی مواد، واحد اهواز، دانشگاه آزاد اسلامی، خوزستان رضا دهملائی استادیار و عضو هیات علمی، دانشگاه شهید چمران اهواز، خوزستان صادق معینی فر استادیار، دانشکده مهندسی، واحد شوشتر، دانشگاه آزاد اسلامی ، خوزستان

در این پژوهش ریزساختار و خواص مکانیکی اتصال جوش فولاد زنگ نزن دوفازی 2205 درچهار حرارت ورودی kj/mm 0.86، 0.91، 1.02، 1.12 مورد بررسی قرارگرفت. جوشکاری با فرایند1 gtaw با قطبیت منفی انجام شد. پس از جوشکاری تاثیر حرارت ورودی بر روی ریزساختار فلز جوش و ناحیه متاثر از حرارت توسط میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی مجهز به سیستم2eds بررسی شد. بررسی ها نشان داد که با افزایش حرارت ورودی، تشکیل ف...

ژورنال: :فرآیندهای نوین در مهندسی مواد 2015
محمدعلی ترحم نژاد رضا دهملائی صادق معینی فر

در این پژوهش ریزساختار و خواص مکانیکی اتصال جوش فولاد زنگ نزن دوفازی 2205 درچهار حرارت ورودی kj/mm 0.86، 0.91، 1.02، 1.12 مورد بررسی قرارگرفت. جوشکاری با فرایند1 gtaw با قطبیت منفی انجام شد. پس از جوشکاری تاثیر حرارت ورودی بر روی ریزساختار فلز جوش و ناحیه متاثر از حرارت توسط میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی مجهز به سیستم2eds بررسی شد. بررسی ها نشان داد که با افزایش حرارت ورودی، تشکیل ف...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

در این پایان نامه به انتخاب ساختار کنترلی ناوابسته به مدل می پردازیم. ابتدا بر اساس داده های ورودی-خروجی زیرسیستم ها و مفهوم همبستگی داده ها در هر زیرسیستم، معیاری معرفی می شود که شامل اطلاعات استاتیکی و دینامیکی زیرسیستم ها می باشد. سپس از معیار فوق برای انتخاب ساختار جفت یابی برای سیستم های پایدار و مربعی استفاده می شود و با مثال هایی نشان داده می شود که معیار ارائه شده منجر به انتخاب جفت های...

ژورنال: سوخت و احتراق 2019

د در کار حاضر، تاثیر استفاده از ساختار ترکیبی بر مشخصه‌های احتراقی مخلوط هیدروژن-هوا، با استفاده از شبیه‌سازی عددی سه­ بعدی و درنظر گرفتن سینتیک شیمیایی جزئی و ضرایب نفوذ مولکولی، بررسی می ­شود. تاثیر پارامترهای سرعت جریان ورودی، رسانش حرارتی دیوار و انحنای دیوار بر روی مشخصه­های احتراق هیدروژن-هوا برای دو ساختار ساده و ترکیبی بررسی شد. نتایج نشان می­دهد که استفاده از ساختار ترکیبی تاثیر ...

Journal: :Mechanic of Advanced and Smart Materials 2022

یکی از جذاب ترین روش های ماشینکاری مدرن، تخلیه الکتریکی است که در اواخر دهه 1960 معرفی شد. با سیم کاربردهای مختلفی دارد، جمله دقت بالا تمام مواد رسانا مانند فلزات، آلیاژهای فلزی، گرافیت و سرامیک همچنین صنایع هوافضا، خودروسازی سایر صنایع. به منظور افزایش سرعت کاهش زبری سطح عرض شکاف، پارامترهای برش بهینه نقش مهمی انتخاب خروجی دارند. این مطالعه، ورودی (دبی، مدت پالس، فرکانس سیم، کشش جریان دی الکتر...

Journal: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
پرویز امیری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر محمود صیفوری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر بابک آفرین دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر آوا هدایتی پور دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید