مفید بودن خصوصیات لایه های نازک باعث شده است که چه از نظر علمی و چه از نظر تکنولوژی به لایه های نازک توجه ویژه ای مبذول شود. تهیه لایه های نازک مستلزم استفاده از مقدار کمی ماده می باشد که این به نوبه ی خود صرفه جویی در هزینه و مقدار ماده است . در سال های اخیر مطالعه روی لایه های نازک نیترید تیتانیوم بسیار گسترده شده است. به دلیل خصوصیات مکانیکی مناسب و سختی زیاد و پایداری شیمیایی و حرارتی بالا...

لایه¬ی نازک لایه¬ای از مواد است که ضخامت آن در گستره¬ی کسری ازیک نانومتر تا چند میکرومتر باشد و در¬واقع لایه¬های اتمی به دقت طراحی شده¬ای از انواع مواد اعم ازفلزات ، عایق¬ها و نیمرساناها هستند. نیترید آلومینیوم یکی ازمورد علاقه¬مند ترین نیمرساناهای ترکیبی گروه¬هایiii–v باداشتن ساختار تنگ پکیده ی شش گوشی وورتزیت توجه زیاد پژوهش¬گران را به خود جلب کرده است. روش¬های نهشت مختلفی برای تهیه یaln توسط...

در این تحقیق ،لایه های نازک آلومینیوم اکسی نیترید بر روی زیر لایه هایی از جنس bk7 به روش کندوپاش مغناطیسی جریان متناوب انباشته شده اند. هدف از این مطالعات بررسی اثر نسبت گاز نیتروژن ، به عنوان گاز واکنشی و تاثیر دمای زیرآیند بر خواص اپتیکی، سختی، مرفولوژی سطح, آستانه تخریب لایه و پوشش های سطحی alon می باشد. نمونه های مهیا شده، بوسیله سیستم های میکروسکوپ الکترونی روبشی، edx، طیف سنج اپتیکی، سختی...

نیترید تانتالوم به دلیل سختی بالا و مقاومت به خوردگی خوب توانسته است توجهات زیادی را به عنوان پوششی مناسب جلب نماید. اما چقرمگی شکست لایه‌های نازک نیترید تانتالوم که یکی از عوامل تاثیرگذار بر طول عمر پوشش است، هنوز به خوبی بررسی نشده است. در این پژوهش، برای نخستین بار، چقرمگی شکست، پلاستیسیته و حساسیت به نرخ کرنش لایه های نازک نیترید تانتالوم به کمک روش نانو فرورونده بررسی و ارزیابی شد. در این ...

در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...

آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...

چکیده: کاربرد لایه های نازک نه تنها در اتصال قطعات منفرد به یکدیگر بلکه همچنین در تهیه خود قطعات اعم از فعال و نافعال، امکانات جدید میکروریزه شدن را فراهم آورده است. این امر از آنجا ناشی می شود که یکی از ابعاد (از دیدگاه ماکروسکوپی) تقریباً صفر است، و ضخامت عنصر تنها با ضخامت زیرلایه که فرآیند انباشت روی آن انجام می گیرد، تعیین می شود. لایه های نازک تیتانیوم آلومینیوم نیترید با شیوه های متفاو...

در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پس‌زمینه به روش مونت کارلو شبیه‌سازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پس‌زمینه و در فشار 50 میلی تور شبیه‌سازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیه‌سازی‌ها مورد استفاده قرار گرفته‌اند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یون‌های پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یو...

توسعه ی فن آوری خصوصاً در 25 سال گذشته عاملی شد تا لایه نشانی به روش کندوپاش پلاسمایی در زمینه های متنوع علمی، تحقیقاتی و صنعتی توسعه یابد. هدف ازانجام این پروژه، تعیین پارامترهای پلاسمایی دستگاه کندوپاش مکا 2000 است که لایه نشانی ها براساس این پارامترها انجام می یابد. پلاسمای مورد مطالعه، پلاسمای آرگون و منبع تغذیه، مگنترون dc است. در ابتدا پروب و فلنجه ی مناسب طراحی شده و روی دستگاه نصب می ش...