تک بلور yag همزمان با دو آلاینده ce+3 و nd+3  بلور نسبتا جدیدی است که به عنوان محیط فعال در لیزرهای حالت جامد مورد استفاده قرار می کیرد. در این کار هدف رشد این بلور در جهت کریستالی ]111[ می باشد. برای این منظور از روش چکرالسکی و کوره القایی استفاده شد. سرعت کشش و چرخش به ترتیب 5/0 میلیمتر در ساعت و 24 دور در دقیقه انتخاب شد. پس از رشد موفقیت آمیز این بلور عملیات اپتیکی  برش، سایش و پولیش بر روی...

در این پژوهش تک بلور هالید قلیایی پتاسیم کلراید (kcl) خالص و همراه با درصدهای مختلف ناخالصی نانوالماس در آزمایشگاه رشد داده شد. پودر نانوالماس دارای خواص فیزیکی و مکانیکی ویژه ای است و از جمله پودرهای فوق سخت در مقیاس نانو به شمار می رود. پس از رشد، آنالیزهای مختلفی جهت مشخصه یابی بلورهای مذکور انجام شد. این آنالیزها شامل آنالیز xrd، طیف سنجی فرابنفش- مرئی (uv-visible)، طیف سنجی تبدیل فوریه ماد...

در این مقاله با استفاده از تداخل سنج  تویمن گرین، فرانژ هایی به صورت خطوط موازی تاریک و روشن تشکیل شده است، که با قراردادن میله لیزر در یکی از بازوهای تداخل سنج ، این فرانژ های تخت دچار مقداری انحراف می شوند. با نوشتن برنامه ای به زبان مطلب و پردازش تصاویر بدست آمده از فرانژها، اختلاف راه نوری و مقدار بیشینه و جذر میانگین مربعی اعوجاج قله تا دره جبهه موج برای میله های لیزری نئودیمیم-یاگ بدست آم...

تک بلور های هالید قلیایی در فیزیک حالت جامد از اهمیت خاصی برخوردارند. در دهه های اخیر، کاربرد های مختلفی مثل تک رنگ ساز های اشعه ایکس، لیزرها، سنتیلاتورها و غیره داشته اند. همه این کاربرد ها به خواص فیزیکی بلور ها بر می گردد که در اثر وجود نظم در ساختار آنها ایجاد شده است. این نظم پر دامنه است که به بلور ها خصوصیات و ویژگی های منحصر به فردی را می دهد. امروزه روش های متنوعی برای رشد مصنوعی بلور ...

آینده مدل سازی سیستم رشد بلور به پیشرفت در مدل سازی پارامترهای تاثیر گذار وابسته است. تلاش های فراوانی برای تحلیل پدیده های انتقال در رشد بلور شده است. در سیستم های رشد بلور به?روش چکرالسکی کیفیت و اندازه بلورهای رشد داده شده به مجموعه عوامل فیزیکی سیستم و فرآیند رشد?بستگی دارد. در این بین دو نوع متغیر سیستم را تحت تاثیر قرار می دهد. متغیرهای درونی که معمولاً غیر قابل دسترس هستند و پارامترهای بی...

تکنیک چُکرالسکی متداول ترین روش برای رشد بلورهای اکسید مانند (al2o3) sapphire از فاز مذاب است. در این روش، ابتدا یک بلور اولیه با شعاع کوچک در تماس با سطح آزاد مذاب قرار می گیرد. پس از ایجاد فصل مشترک بلور- مذاب و برقراری تعادل حرارتی در سیستم، این بلور اولیه به سمت بالا کشیده می شود و در نتیجه یک تک بلور در پائین آن شروع به رشد می کند. فرآیندهای گرمای القائی، جریان های شاره و انتقال حرارت نقش م...

تک بلور YAG همزمان با دو آلاینده Ce+3 و Nd+3  بلور نسبتا جدیدی است که به عنوان محیط فعال در لیزرهای حالت جامد مورد استفاده قرار می‌کیرد. در این کار هدف رشد این بلور در جهت کریستالی ]111[ می‌باشد. برای این منظور از روش چکرالسکی و کوره القایی استفاده شد. سرعت کشش و چرخش به ترتیب 5/0 میلیمتر در ساعت و 24 دور در دقیقه انتخاب شد. پس از رشد موفقیت آمیز این بلور عملیات اپتیکی  برش، سایش و پولیش بر روی...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. در این روش...