نتایج جستجو برای: روش نهشت glad (glancing angle deposition) – نانو ذرات si – مقاومت سطحی – تخلخل

تعداد نتایج: 692093  

ژورنال: :علوم و مهندسی سطح ایران 0

نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

نانو ذرات  Siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-Si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

Journal: :Small 2008
Chunming Zhou Daniel Gall

A scalable strategy for three-dimensional (3D) assembly of dissimilar materials with nanometer resolution is key to harness the full potential of physical properties expected within the quantum-confined or interface-dominated size regime. Chemical synthesis methods yield layered and coaxial nanowires and branched nanocrystals, while physical vapor deposition (PVD) techniques are particularly ef...

2009
Wisam J. Khudhayer Rajesh Sharma Tansel Karabacak

Introducing a hydrophobic property to vertically aligned hydrophilic metallic nanorods was investigated experimentally and theoretically. First, platinum nanorod arrays were deposited on flat silicon substrates using a sputter Glancing Angle Deposition Technique (GLAD). Then a thin layer of Teflon (nanopatches) was partially deposited on the tips of platinum nanorod at a glancing angle of θ = 8...

Journal: :Journal of nanoscience and nanotechnology 2010
S V Kesapragada T J Yim J S Dordick R S Kane D Gall

This communication proposes a new approach to create complex hierarchical nano-to-meso-scale architectures based on the use of biological connector molecules to direct the assembly of uniquely shaped multi-component nanostructures fabricated using glancing angle deposition (GLAD). Multiple sets of 50-nm-wide and 150 to 650-nm-tall Si-Cr/Au multi-stack zigzag nanosprings and nanorods are grown b...

2003
T. Karabacak J. P. Singh Y.-P. Zhao G.-C. Wang

We observed a scaling behavior during the shadowing growth of isolated Si, Co, Cu, and W nanocolumnar structures on Si substrates using the oblique angle deposition with substrate rotation ~also known as glancing angle deposition or simply GLAD!. The width of the isolated columns, W , grew as a function of column length, d , in a power law form, W;d, where p is the growth exponent and was measu...

Zigzag ZnS thin films prepared by thermal evaporation method using glancing angle deposition (GLAD) technique. ZnS films with zigzag structure were produced at deposition angles of 0˚, 60˚ and 80˚ at room temperature on glass substrates. Surface morphology of the films w:as char:acterized by using field emission scanning electron microscopy (FESEM). The optical properties of the specimens were i...

2007
C. M. Zhou D. Gall

Arrays of Ta nanorods were grown by glancing angle deposition GLAD onto honeycomb Cr nanodot patterns that were evaporated onto Si substrates through a self-assembled monolayer of SiO2 nanospheres. Statistical size analyses from arrays of rods with variable average length l and width w, with 210 nm l 650 nm and 109 nm w 304 nm, show that the distribution in w broadens with increasing l and decr...

2013
Hsun-Feng Hsu Wan-Ru Huang Ting-Hsuan Chen Hwang-Yuan Wu Chun-An Chen

This work develops a method for growing Ni-silicide/Si heterostructured nanowire arrays by glancing angle Ni deposition and solid state reaction on ordered Si nanowire arrays. Samples of ordered Si nanowire arrays were fabricated by nanosphere lithography and metal-induced catalytic etching. Glancing angle Ni deposition deposited Ni only on the top of Si nanowires. When the annealing temperatur...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1387

چکیده در این پروژه به ارئه یک روش فیزیکی برای ساخت نانو ذرات سیلیکان بر روی ویفر سیلیکان می پردازیم. این روش که روش glad نامیده می شود اولین بار در سال 1996 توسط یک گروه تحقیقاتی کانادایی در دانشگاه آلبرتا ارائه گردید. همچنین برای لایه نشانی دستگاه خود را در حالت گرمادهی به روش پرتو الکترونی آماده کردیم. لایه نشانی را در دو زاویه° 75و ° 85 انجام دادیم. منحنی افت زمانی در دو ولتاژ یک و دو ولت ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید