مغناطش و چگالی جریان بحرانی ابررسانای جدیدا کشف شده ndo0.82f0.18feas با دمای بحرانی ابررساناییk 51.5 به صورت تابعی از میدان مغناطیسی و دما مطالعه شده است. نتایج به دست آمده نشان داد که این ترکیب در میدان های مغناطیسی بسیار پایین و دماهای کمتر از دمای بحرانی دارای رفتار ابررسانایی استاندارد با خاصیت دیامغناطیس کامل است. اما با افزایش میدان مغناطیسی در میدان های بزرگتر از koe 50 مشاهده می شود که ...

تاثیر میدان‏های مغناطیسی بر احتراق جهت کنترل و بهینه‏سازی و حتی تغییر شکل و درخشندگی شعله موضوع شناخته شده‏ای است. نیروی حجمی مغناطیسی وارد بر گونه‏های مواد پارامغناطیس باعث تغییر رفتار طبیعی آنها شده و بر سینتیک و رفتار تعادلی واکنش‏های شیمیایی احتراق نیز موثر است. در تحقیق حاضر بررسی عددی تاثیر میدان مغناطیسی یکنواخت بر واکنش یک مرحله‏ای احتراق متان انجام شده است. با توجه به اینکه در بین گونه...

در این نوشتار با استفاده از روش نموی، که از روش‌های رایج و کارآمد در تحلیل رفتار غیرخطی مواد است، رفتار آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی بررسی و مدلی برهمین اساس ارائه شده است. مدل‌سازی نموی برای نواحی مختلف نمودار تنش ـ کرنش، از مدول‌های سکانت متفاوت استفاده می‌کند. در این نوشتار برای تقریب نمودار تنشـکرنش آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی، رابطه‌یی تحلیلی ارائه شده است که پارامترهای به‌کار رفته در آن ا...

آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی دسته ی جدیدی از مواد هوشمند به شمار می آیند که خواصی همچون کرنش های برگشت پذیر بزرگ و فرکانس عملکرد بالا از خود نشان می دهند. این خواص منحصر به فرد، آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی را به عنوان گزینه ای مناسب در کاربردهایی همچون عملگرها، حسگرها و برداشت کننده های انرژی مطرح کرده است. این مقاله یک مدل ساختاری پدیده شناختی دو بعدی برای آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی، در چارچوب...

امروزه نیاز روز افزون به اعمال تغییرات و جابه جایی های سریع، دقیق و حرکات کوچک در بسیاری از زمینه های مهندسی، اهمیت و کارایی مواد هوشمند را بیشتر نشان می-دهد. آلیاژ حافظه دار مغناطیسی، یکی از جدیدترین مواد هوشمند است که اثر حافظه دار بودن و خاصیت مغناطیسی را به طور همزمان دارا می باشد. این ماده، در دمای اتاق توسط القای میدان مغناطیسی، کششی بسیار بزرگتر از مگنتواسترکتیو، پیزوسرامیک یا ماده الکتر...

در این مقاله ترابرد الکترونها در ریزنوار یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی که در راستاهای متفاوت بر ابرشبکه اعمال می شوند, مورد بررسی قرار گرفته است. نمودارهای سری زمانی و نمای لیاپانوف با استفاده از روش رانگ- کوتای مرتبه چهارم محاسبه شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که برای مقادیر معینی از پارامترها که وابسته به خصوصیات ابر شبکه و میدانهای اعمال شده بر آن است, الکترو...

وجود پدیده غیرخطی هیسترزیس یک چالش در رفتار آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی می باشد. برای رفع این مشکل، رفتار هیسترزیس موجود در این مواد را مدلسازی می-کنند. مدل پرنتل-ایشلینسکی بدلیل سادگی و دارابودن معکوس تحلیلی، یکی از مدل های پرکاربرد در این حوزه می باشد. این مدل در دو نوع مستقل از نرخ و وابسته به نرخ ارائه شده است. نتایج آزمایشگاهی نشان می دهد که با افزایش فرکانس تحریک، هیسترزیس موجود در رفتار ...

در این مقاله، اثر میدان مغناطیسی چنبره ای در اطراف قرص های نازک خود گرانشی با الگوی وشکسانی بتا مطالعه می شود. انتظار داریم با اعمال میدان مغناطیسی در یک قرص نازک خود گرانشی با الگوی β رفتار متفاوتی در مقایسه با حالت بدون میدان مغناطیسی داشته باشیم. با استفاده از حل روش های خود مشابهی تحول زمانی قرص های وشکسان خود گرانش پلی تروپ دراطراف یک جسم مرکزی جوان را بررسی می کنیم و بعضی از کمیت های فیزی...

دارورسانی مغناطیسی، نوعی روش درمانی است که درآن، عامل­های دارویی ازبین برنده­ی تومور و یا سلول­های سرطانی، روی یک هسته­ی مغناطیسی بارگذاری شده است که با اِعمال یک میدان مغناطیسی خارجی، از حضور این داروها در سایر نقاط بدن و بافت­های سالم جلوگیری می­کند. بدین صورت، اثرهای جانبی ناخواسته حاصل­از شیمی درمانی­های مرسوم به طور چشم­گیری کاهش می­یابد. این روش، موانع و مشکلاتی دارد که به نظر می­رسد با به...

تاثیر میدان‏های مغناطیسی بر احتراق موضوع شناخته شده‏ای است. در حضور میدان مغناطیسی، گونه‏های پارامغناطیس سبب تغییر در سینتیک و رفتار تعادلی واکنش‏های شیمیایی احتراق می‏شود. با توجه به این واقعیت که اکسیدنیتروژن و اکسیژن گونه‏های پارامغناطیس و سایر گونه‏های احتراق و متان دارای رفتار دیامغناطیس هستند، اعمال میدان مغناطیسی یکنواخت سبب تغییر در روند معمولی واکنش شیمیایی می‏گردد. در تحقیق حاضر بررسی...