با استفاده از تکنیک پرتو الکترونی در دمای اتاق 5 نمونه فیلم co/cu روی زیر لایه سیلیکون (si(lll)) در ضخامت های متفاوت رشد داده، و با تکنیک پراش سنجی اشعه x مشخصه یابی ساختاری آنها مورد بررسی قرار گرفت. با کمک فرمول شرر ضخامت مربوط به کریستال sio2 به اندازه 93nm بدست آمد این مقدار در محاسبات ضخامت کل همه نمونه ها در نظر گرفته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه x میزان رشد لایه ای و یا جزیره ای نمونه ه...

در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک ni و چند لایه ایهای نازک ni/cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای ni و cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (xrd) تعدادی از لایه های نازک ni/cu بیانگر ساختار چند...

نانومیله­ های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه ­نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله­ های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...

در این مقاله در چارچوب مدل انباشت بالستیک به شبیه سازی رشد لایه های نازک در حضور دو نوع ذره فعال (a) و ناخالصی(c) می پردازیم و نمای مقیاسی رشد  و نمای مقیاسی زبری  را به دست می آوریم و آن ها را با کلاس جهانی ارائه شده توسط کاردار-پاریزی-ژانگ (kpz) مقایسه می کنیم. نتایج به دست آمده وجود یک احتمال بحرانی  را نشان می دهند، به گونه ای که به ازای مقادیر کوچکتر از ، مدل انباشت مورد نظر ما در کلاس جها...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

لایه نازک با ترکیب شیمیایی Ti45Cu35Zr15Sn5 بوسیله روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم در اتمسفر آرگون و در دمای محیط تهیه گردید. بررسی ریزساختار توسط پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ الکترونی عبوری حاکی از وجود ساختار آمورف در لایه های نازک پس از کندوپاش می باشد. در این مقاله رفتار و سینتیک بلوری شدن لایه نازک شیشه ای با استفاده از آنالیز گرماسنجی روبشی تفاضلی بصورت همدما و غیرهمدما مورد بررسی قرار گرف...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

این مقاله پیشرفت فن آوریهای آماده سازی لایه های نازک hts را از روشهای مبتنی بر لایه نشانی بخار فیزیکی تا آخرین روشهای ارایه شده امروزی مرور می کند. مقاله شامل مسیرهای اصلی فرآیند در محل و کنترل رشد است. فعالیتهای جاری برای ساخت نوارهای مورد استفاده در کاربردهای توانی و نیز ساخت بهینه بین صفحه ای در کوپراتها مورد بحث قرار گرفته است. برخی از مسیرهای آتی در تحقیقات فیلمهای نازک hts, چه در علوم و چ...