سیلیسایدها توسط لایه نشانی فلز بر روی نیمرسانای سیلسیم و پخت آن بوجود می آیند. سیلیسایدها هواص فلزی دارند و در تماس با نیمرسانا اتصال شاتکی می سازند. چنانچه دیود شاتکی به این روش ساخته شود ایده آل خواهد بود. از آنجا که دیود شاتکی ptsi/si مزایای متعددی دارد این دیود شاتکی مورد مطالعه نظری و تجربی قرار گرفته است . چگونگی تشکیل لایه ptsi و محاسبه ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si هدف این پروژه می باشد....

دیودهای شاتکی پلیمری، بر پایه پلی آنیلین آلائیده با نانوذرات سولفیدروی و با اتصال اهمی طلا و اتصال شاتکی آلومینیم که با استفاده از لایه نشانی تبخیر در خلأ بر روی نمونه ها لایه نشانی شدند، مورد تحلیل و بررسی قرار گرفت.منحنی مشخصه i-v و c-v دیودهای شاتکی پلیمری تهیه شده یک نوع رفتار یکسوکنندگی را از خود نشان دادند. از روی منحنی مشخصه ها، پارامترهای پیوندگاهاز قبیل فاکتور ایده آل، ارتفاع سد پتانسی...

حسگرهای فرابنفش برای تشخیص تابش فرابنفش در محیطی که اشعه خورشید حضور دارد، کاملاً ضروری هستند. علاوه بر این، چنین حسگرهایی در پزشکی برای ضد عفونی کردن و تشخیص میکروب ها و قارچ ها، در زیست شناسی برای تشخیص سوراخ های لایه ازون و در نورسنجی و طیف سنجی مورد استفاده قرار می گیرند. همچنین، برای ساختن ابزار آلات نظامی جهت ردیابی موشک ها و در بسیاری دیگر از زمینه های علوم و مهندسی، اینگونه آشکارسا...

در این پایان نامه، دیود شاتکی گرافین-سیلیکون به وسیله ی ورقه کردن مکانیکی دو نوع گرافیت ( hopg و گرافیت طبیعی) بر روی زیر لایه ای از سیلیکون، ساخته شده است. زیرلایه ی سیلیکونی، پیش از قرار گرفتن گرافین، الگوسازی شده است. برای این منظور، سیلیکون تا ضخامت 300 نانومتر اکسید شده و سپس فلزات au/ti بر روی آن لایه نشانی می شوند. در مرحله بعد با استفاده از ماسک مخصوصی، فرآیند زدایش انجام می شود. پس از ...

در این تحقیق نظری به بررسی وابستگی دمایی مشخصه جریان – ولتاژ (i-v) در برخی دیودهای شاتکی شامل اتصالات فلز-نیمرسانا (ms) au/n-gan (رشد یافته به دو روش متفاوت) و اتصالات فلز-اکسید-نیمرسانا (mos) در ساختار au/sio2/n-gaas، بر مبنای نظریه گسیل گرمایونی و نظریه تعمیم یافته آن پرداخته ایم. در گستره ولتاژهای اعمال شده پایین، تحلیل به کار گرفته شده در خصوص تعیین ارتفاع سد پتانسیل و ضریب ایده آلی مبتنی ب...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه گزارشی از ساخت و تست یک دیود شاتکی تولید شده با نیمه هادی ‏‎gaas‎‏ توسط دستگاه رونشستی پرتر ملکولی ‏‎(mbe)‎‏ ارائه می گردد.جهت ساخت این دیود، بعد از رشد اپیتاکسی ‏‎gaas‎‏ روی زیر لایه تک بلور با جهت (100) فلز آلومینیوم را در خلا بسیار بالا روی لایه مذکور نشانده، تا پیوند شاتکی تشکیل گردد. برای انجام تست ابتدا پروفایل ناخالصی، قابلیت تحرک ومقاومت مخصوص لایه ‏‎n‎‏ رشد داده شده ر...

در این پژوهش هدف مطالعه ویژگیهای الکترونیکی و اپتوالکترونیکی اتصال ag/tio2 برای ساخت حسگرهای ماوراءبنفش بوده است. مشاهده شد که این اتصال بلافاصله پس از ساخت، سد انرژی صفر در محل پیوند نشان میدهد، ولی ترمیم حرارتی آن در هوا تحت بایاس معکوس و دمای ? 200 سبب تبدیل آن به دیود شاتکی با سد انرژی بزرگ میگردد. در نتیجه این فرآیند ساده، ملاحظه شد که جریان معکوس نمونهها تا 106 مرتبه کاهش مییابد. اجرای تر...

در این پژوهش پاسخ‌دهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایه‌ای از گرافین بر روی زیرلایه‌ای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایه‌نشانی‌های کروم- طلا (ضخامت لایه‌های کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه...

امروزه دیود های شاتکی وابسته به ساختار های فلز- نیمرسانا (ms) و فلز– عایق- نیمرسانا (mis) کاربرد های بسیار گسترده ای در قطعات الکترونیکی و اپتو الکترونیک پیدا کرده اند. ما در این تحقیق تجربی مبادرت به ساخت سه نمونه دیود شاتکی با ساختار های al/p-si ، cu/p-si و /p-si سیلیکون متخلخلal/ نموده ایم. بستگی دمایی مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) آنها در شرایط بایاس مستقیم در محدوده دمایی 300- k 368 انداز...