کار حاضر بر تولید هیدروژن از طریق فرآیند خودگرمایی اتانول (ATR)، در حضور نانوکاتالیست ZrO2/γ-Al2O3 متمرکز شده است. نانوذرات زیرکونیوم‌اکسید با روش مایسل معکوس و با استفاده از ZrOCl2·8H2O و NH4OH تهیه شد. نانوکاتالیست‌های ZrO2/γ-Al2O3 با توزیع پایدار نانوذرات ZrO2 بر پایه‌ی گاما آلومینا به روش مکانیکی تهیه شدند. اثر اندازه ذرات با تغییر نسبت مولی Zr:Al مطالعه شد. نانوکاتالیست‌ها با استفاده از می...

کار حاضر بر تولید هیدروژن از طریق فرآیند خودگرمایی اتانول (atr)، در حضور نانوکاتالیست zro2/γ-al2o3 متمرکز شده است. نانوذرات زیرکونیوم اکسید با روش مایسل معکوس و با استفاده از zrocl2·8h2o و nh4oh تهیه شد. نانوکاتالیست های zro2/γ-al2o3 با توزیع پایدار نانوذرات zro2 بر پایه ی گاما آلومینا به روش مکانیکی تهیه شدند. اثر اندازه ذرات با تغییر نسبت مولی zr:al مطالعه شد. نانوکاتالیست ها با استفاده از می...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مج...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

هدف ما در این پایان نامه ارائه راهکارهایی جهت بهبود عملکرد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک الکترونی بالا1 مبتنی بر گالیوم نیترید است. این پایان نامه در فصل های زیر تنظیم گردیده است: در فصل اول چالش ها و کاربردهای این افزاره ها مطرح شده است. در فصل دوم نحوه عملکرد ادوات با پیوند ناهمگون تشریح گردیده است و در فصل سوم نیمه هادی گالیوم نیترید از لحاظ فیزیکی مورد مطالعه قرار گرفته است. در فصل چهارم اص...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...