امروزه جامدهای بلورین در صنعت الکترونیک نقش مهمی را ایفا می کنند از بلورهای جامد ویفرها یا پولکها تهیه شده که از آنها قطعات الکترونیکی ساخته می شود. شرکت صنایع الکترونیک ایران این پولکها را از شرکتهای خارجی خریداری کرده و قطعات مورد نیاز کشور را با استفاده از این ویفرها می سازد. شناسائی کیفیت نیمه هادی این ویفرها هدف این پروژه بوده است . در این پروژه با اندازه گیری ویژگیهای رسانشی ویفرها کیفیت ...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

دراین پایان نامه خواص ترابردی نیمرسانای ‏‎gaas‎‏ از نوع ‏‎p‎‏ مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل سه نمونه نیمرسانایی ‏‎gaas‎‏ هستند به ترتیب با عناصر ‏‎cr‎‏، ‏‎fe‎‏ و ‏‎co‎‏ آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ‏‎gaas‎‏ به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در ‏‎gaas‎‏ ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی، م...

در این پایان نامه، خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی سلنیدروی خالص و آلایش یافته با عناصر مغناطیسی بررسی شده است. محاسبات با روش امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی wien2kانجام شده است. ابتدا خواص ساختاری و الکترونی سلنیدروی خالص با استفاده از دو تقریب pbesol-ggaو ldaمطالعه شد و همچنین تغییر فاز ساختاری سلنیدروی از زینک بلند به راک ...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

هدف از اجرای این پروژه بررسی خواص الکترونیکی گرافین و دو نوع از نانوروبان های گرافینی است. محاسبات بر پایه نظریه تابعی چگالی و شبه پتانسیل با استفاده از نرم افزار siesta انجام گردیده است. نتایج بدست آمده از ساختار نواری و چگالی حالت ها، نشان می دهد گرافین شبه فلز یا نیمه رسانایی با گاف صفر است. اختلاف انرژی مستقیم محاسبه شده در تحقیق حاضر با استفاده از ساختار نواری از گاما به گاما حدود 44/11 ال...