در دهه اخیر تحقیقات گسترده ای در زمینه خواص فیزیکی (in)gaas1-xnx به عنوان نیمرساناهای نیتروژندار رقیق صورت گرفته است. این مواد با ویژگی کوچکی و مستقیم بودن گاف نواری در محدوده 1 الکترون ولت از کاربرد بالایی در قطعات الکترونیک و اپتوالکترونیک برخوردارند. در این بین ساختار ناهمگون (in)gaas1-xnx/algaas با چاه های کوانتومی مربعی و مثلثی، با توجه به خصوصیت منحصر بفرد آن که امکان تشکیل کانالی رسانا ا...

برخی خواص فیزیکی منحصر بفرد نیمرساناهای نیتروژندار رقیق (in)ganas سبب شده است که در دهه ی اخیر به عنوان ماده ای جالب توجه در دیود لیزرهای فروسرخ، سلولهای خورشیدی چند پیوندگاهی با بازده بالا و سایر ابزارهای الکتریکی مورد توجه زیادی قرار گیرند. معلوم شده است که با افزودن نیتروژن به مقدار ناچیز (کمتر از 5%) به نیمرسانای gaas، گرچه گاف انرژی آن را به طور قابل ملاحظه ای کاهش جرم موثر الکترونها افزای...

اکسید روی (zno) با ترکیب عناصر گروه ii-vi در زمره نیمرساناهای با گاف نواری مستقیم و پهن (ev37/3) بشمار می آید. این ویژگی اهمیت زیادی نه تنها در قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی در قطعات اپتوالکترونیکی، نظیر دیودهای نورگسیل و دیود لیزرهای آبی و بنفش، همچنین آشکارسازهای نوری نیز دارد. به کارگیری این ماده در این قطعات مستلزم تهیه آن به صورت تک بلوری می باشد. این موضوع همچنان مسئله ا...

بلورهای cd0.96 zn0.04te به روش ترابری فاز بخار رشد داده شده اند. نتایج نشان دهنده رشد درختی شکل بلورهایی به بزرگی تا  3.5mm   به این روش هستند. الگوهای پراشی پرتو x و پس پراکندگی لاوه نشان می دهند که شاخه های بلوری تک فاز هستند و راستای رشد دانه های بلوری به طور کتره ای حول امتداد جریان گاز حامل جهت گیری کرده است. اندازه گیریهای الکتریکی انجام شده به روش وندر پاو نشان می دهند که مقاومت الکتریکی...

در این پایان نامه ابتدا به طور مختصر علم ترمودینامیک را مرور کرده و به طور ساده قوانین ترمودینامیک ونتایج آن-ها را مورد بحث قرار می دهیم. سپس ترمودینامیک آماری و کلاسیکی را توضیح می دهیم. در ادامه حالات ماده، انتقال انرژی و روش های مطالعه سیستم های آماری را مورد بررسی قرار می دهیم. همچنین روش های مطالعه شاره ها به طور مختصر بیان شده است در گام بعد از انواع پتانسیل های بین مولکولی را مرور کرده و...

هدف از این تحقیق بررسی رفتار دمایی ضریب هدایت حرارتی نانولوله های تک جداره زیگزاگ با تغییرات دما وشعاع نانولوله و شدت برهمکنش الکترون- فونون می باشد.جهت بررسی دینامیک الکترون در بلور از مدل هولشتاین که معادل برهمکنش الکترون- فونون اپتیکی، انرژی جنبشی فونون ها و مدل تنگ بست است استفاده می شود. برای یافتن ضریب هدایت حرارتی از روش تابع گرین و نظریه پاسخ خطی کوبو و از تقریب دوم اختلال برای محاسبه خ...

در این مقاله به مطالعه نظری وابستگی دمایی (K 600-77) خواص ترابری الکتریکی گاز الکترون دو بعدی (2DEG) در ساختار ناهمگون Al0.83In0.17N/GaN در دو حالت با و بدون لایه میانی پرداخته‌ایم. نتایج تحلیل ما مبتنی بر انواع سازوکار‌های پراکندگی و قاعده ماتیسن حاکی از آن است که در نمونه با لایه میانی تراکم دررفتگی‌ها به میزان 8/2 برابر نسبت به نمونه بدون لایه میانی کاهش یافته و این امر منجر به افزایش تحرک پ...

در این کار نمونه های سیلیسیوم متخلخل از حکاکی الکتروشیمیایی ویفر سیلیسیوم نوع p با ساختار تک بلوری با جهت (100) به قطرnm 5/0+100 و مقاومت ویژه 2-5cm در محلول الکترولیت بر مبنای اسید هیدروفلوریک تهیه شده اند. الکترودها در عین اندازه گیری لایه ی آلومینیوم و طلا به ضخامت 30-40nm که در شرایط خلا 10mbar و به روش تبخیر گرمایی تهیه شده اند هستند. نمونه های متخلخل را تحت شرایط آندی سازی مختلف از جمله چ...

چکیده ندارد.