در این پروژه با توجه به اهمیت و جایگاه منابع تغذیه پالسی در تکنولوژی امروز، تاریخچه و سیر تکاملی آن بررسی شده و یکی از منابع تغذیه پالسی که قابل کنترل با gto می باشد و از اهمیت ویژه ای برخوردار بوده جهت شبیه سازی کامپیوتری مورد توجه قرار گرفته است . برای شبیه سازی لازم است ، کلیه عناصر تشکیل دهنده بطور کامل شناخته و مدل هر کدام در نرم افزار spice بررسی گردد. بعد از تحقیق مدل صریحی برای قطعه gto...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

گیت های منطقی از المان های اصلی در پردازش داده هستند. سرعت عملکرد گیت های منطقی تأثیر بسزایی در عملیات پردازش داده دارد. رویکرد جدید استفاده از گیت های منطقی اپتیکی و فوتونیکی است که باعث افزایش چشمگیر سرعت و پهنای باند خواهد شد. در این پایان نامه ساختارهایی برای گیت های منطقی کریستال فوتونی غیرخطی دوبعدی با شبکه های مربعی و مثلثی پیشنهاد شده است. در تمام ساختارها موجی با قطبش tm به ساختار اعما...

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

مقدمه: rest (فاکتور رونویسی خاموش کننده متصل شونده به ناحیه (re1 عنصری ضروری در تکوین طبیعی مغز است. rest هم چنین برای حفظ پرتوانی سلول های بنیادی جنینی (escs)و تمایز آن ها به سلول های عصبی در آزمایشگاه اهمیت دارد. بر طبق دانش ما تا به حال گزارشی از الگوی بیان rest و مکانیسم اپی ژنتیکی آن در سلول های بنیادی پرتوان القایی انسانی و نیز سلول های عصبی مشتق شده از آن ها موجود نیست. هدف: در این مطال...

برای انتقال انرژی الکتریکی ازنیروگاه ها به مصرف کنندگان، یک سیستم بهم پیوسته مورد نیاز می باشد. این سیستم شامل مراکز تولید انرژی، ایستگاه ها، خطوط انتقال یا کابلها و مصرف کنندگان می باشد. سیستم های hvdcبرای اتصال شبکه های ناهماهنگ و یا بهبود پایداری و حفظ سطح اتصال کوتاه شبکه های ac متصل به آنها با کنترل پذیری بالایی که دارند، استفاده می گردند. یکی از شروط مهم عملکرد رضایت بخش خط ارتباطیhvdc، ک...

یک مبدل زمان به دیجیتال سیستمی است که ورودی آن یک بازه زمانی بوده و خروجی آن برابر با کد دیجیتال متناسب با طول بازه زمانی می باشد. با توجه به پیشرفت های شگرف تکنولوژی ساخت مدارات مجتمع، ایده ها و روش های گوناگونی جهت پیاده سازی اینگونه مدارات ارائه شده است. در این پایان نامه ساختاری نوین برای یک مبدل زمان به دیجیتال با رزولوشن بالا و با قابلیت شکل دهی نویز کوانتیزیشن پیشنهاد شده است. در این س...

تاثیر مهندسی کانال و نواحی کناری بر کارکرد فرکانسی و سوییچینگ ترانزیستور نانوتیوب کربنی و ماسفت سیلیکنی دو گیتی مطالعه گردیده است. پارامترهای عملکرد مانند فرکانس قطع، سرعت سوییچینگ، مشخصه دوقطبی و نسبت جریان حالت روشن به خاموش محاسبه و بهینه سازی شده اند. به دلیل ایجاد رفتار الکترواستاتیکی مطلوب، اتصالات سورس و درین یک بعدی مورد استفاده قرار گرفته است. کاهش فرکانس قطع در اثر نفوذ تابع موج در اک...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...