با پیشرفت تکنولوژی مدارات vlsi و کاهش ابعاد مدارهای الکترونیکی شاهد افزایش میزان نقص ها یا خطاهای ادوات به خصوص در حافظه ها هستیم. بروز خطا در ادوات الکترونیکی سبب کاهش بهره دهی مدارات و کاهش قابلیت اطمینان خواهد شد. در این راستا تحقیقات زیادی برای طراحی مدارهای تعمیر درون ساخته صورت گرفته تا از کاهش بهره دهی و قابلیت اطمینان ادوات جلوگیری شود. با توجه به بالا بودن نیاز مدارات دیجیتال به ذخیره ...

در این مقاله رفتار محرک حافظه دار بصورت تئوری و تجربی بررسی شده است. محرک، ازترکیب الیاف حافظه دار در ماده الاستومر ساخته شده است. قبل از جاسازی الیاف حافظه دار، به آنها یک کرنش اولیه در دمای پایین اعمال نموده و سپس در سطح خارجی تیر جاسازی شده اند، با اعمال دما به الیاف حافظه دار با توجه به اینکه در سازه تیر جاسازی شده اند و نمی توانند کرنش بازگشتی بصورت آزاد داشته باشند، تنش بازگشتی فشاری در س...

امروزه حافظههای جاسازی شده در تراشههای سیستمی، بخش اعظمی از فضای موجود در تراشه را به خود اختصاص دادهاند. از این رو آزمون ساخت این حافظهها، گام مهمی در فرآیند تولید تراشههای سیستمی محسوب میشود که تراشههای آسیبدیده را مشخص نموده و عبور از مراحل نظری ابتدایی به مرحله تولید انبوه را در یک تکنولوژی ساخت جدید سرعت میبخشد. در این راستا، خودآزمون داخلی به عنوان یک روش موثر برای رفع مشکلات موجود در ...

بیشترین تعداد هسته های موجود در سیستم های روی تراشه (soc) را حافظه های جاسازی شده تشکیل می دهند. از این رو بهره دهی این حافظه ها نقش بسزایی در بهره دهی کل soc دارد. پیشرفت مداوم مجتمع سازی در سطح تراشه-ها و در نتیجه افزایش چگالی حافظه های جاسازی شده، امکان بروز نقص در سلول های حافظه را افزایش داده است که این امر به کاهش بهره دهی کل تراشه منجر می گردد. با تعمیر حافظه های جاسازی شده می توان این م...