نتایج جستجو برای: جفت شدگی تبادلی

تعداد نتایج: 12012  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1380

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

با استفاده از تئوری ساده موج اسپینی، مغناطش و پارامتر سختی موج اسپینی (b) در حضور جفت شدگی تبادلی بین لایه ای و میدان مغناطیسی کاتوره ای برای چندلایه ای fe(110)/ag(111) به دست آمده است. ساختارهای مغناطیسی فوق نازک کاربردهای فراوانی در نانوتکنولوژی به عنوان مثال اسپینترونیک دارند، که از آن جمله می توان به حسگرهای مغناطیسی، ضبط مغناطیسی داده ها با چگالی بالا، mram و غیره اشاره کرد. همچنین می توان...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
رضا نورافکن r nourafkan department of physics, sharif university of technology, p.o.box: 11155-9161, tehran, iranدانشکده فیزیک، دانشگاه یزد، خیابان پژوهش، یزد ناصر نفری n nafari institute for studies in theoretical physics and mathematics, p.o.box: 19395-5531, tehran, iranمرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات (ipm)، صندوق پستی 5531-19395، تهران

از آنجا که تشکیل جفت الکترونها برای ابررسانایی ضرورت دارد، تشخیص سازوکارهایی که می توانند به تشکیل این جفت ها بیانجامد از اهمیت بسزایی برخوردار است. اما، از یکسو برخی از آزمایشها بر روی ابررساناهای دمای بالا، مانند arpes ، نشان داده اند که مجموعه ای از نتایج تجربی بوسیله مدهای بوزونی مغناطیسی قابل توصیفند و از سوی دیگر برخی دیگر از آزمایشها مانند تونلزنی ابررسانایی ( tunneling spectroscopy )، ب...

ژورنال: :فیزیک کوانتومی 0

در این مقاله، با استفاده از نظریه پاسخ خطی هارتری- فاخ، پذیرفتاری مغناطیسی یک گاز الکترونی آزاد قطبیده اسپینی که تحت یک میدان مغناطیسی استاتیک قرار دارد به صورت تحلیلی بررسی می­شود. با توجه به تقریب­های مختلف برای شکل پتانسیل تبادلی، خودمان را محدود به یک مدل نواری دو اسپینی ساده­ای برای گاز فرومغناطیسی می­کنیم. در این مدل فرض می­شود که نوارهای مربوط به الکترونهای با اسپین بالا و پایین نسبت به ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود 1389

در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1356

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1356

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1355

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک 1387

اسپینترونیک شاخه ی جدیدی از نانوالکترونیک است که بر استفاده از اسپین الکترون برای ساخت قطعات الکترونیکی جدید با کارایی بالاتر نسبت به الکترونیک سنتی تاکید دارد. نانوساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی عناصر اصلی اسپینترونیک را تشکیل می دهند. مطالعه ی خصوصیات ساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی به دلیل پتانسیل بالای آنها برای کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی جدید بسیار مورد توجه قرار گر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1355

چکیده ندارد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید