نتایج جستجو برای: جریان سیال مغناطیسی

تعداد نتایج: 47395  

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 0
محسن نظری دانشیار دانشگاه صنعتی شاهرود، دانشکده مهندسی مکانیک آتنا قادری دانشگاه صنعتی شاهرود محمد حسن کیهانی استاد دانشگاه شاهرود

در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...

ژورنال: :ماهنامه شباک (شبکه اطلاعات کنفرانس های کشور) 0
بهنام مقیمی مفرد آبدهگاه behnam moghimi محسن ثقفیان mohsen saqafian

در این مقاله با استفاده از یک شبیه سازی عددی و به کمک روش حجم محدود ابتدا ویژگیهای حرارتی جریان سیال تحت تاثیر یک میدان مغناطیسی تنها و عمود بر محور میکروکانال دوبعدی (هیدرودینامیک مغناطیسی)، برای مقادیر مختلف عدد هارتمن مورد بررسی قرار گرفته است. در ادامه ویژگیهای حرارتی جریان محلول الکترولیت تحت تاثیر ترکیب دو میدان الکتریکی، یکی در راستای محور میکروکانال (جریان الکترواسموتیک) و دیگری در راست...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
مازیار دهقان m. dehghan مصطفی میرزایی m. mirzaei آرش محمد زاده a. mohammadzadeh

جریان آرام تراکم ناپذیر سیال غیر نیوتنی روی یک صفحه کشسان متحرک، در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت مطالعه شده است. سرعت صفحه مشخص و در طول آن به صورت خطی تغییر می کند. به کمک تبدیلات تشابهی، دستگاه معادلات پاره ای حاکم بر جریان به یک دستگاه معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تبدیل و سپس توسط روش عددی ارئه شده بر مبنای تفاضل محدود ، حل گردیده است. اثرات پارامتر های سیال، جریان و میدان مغناطیسی بر ...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2014
یوسف حجت کیوان کاکاوند مجتبی قدسی علی اضغر مداح

در این مقاله مدل جدیدی برای پاسخ سیال مگنتورئولوژیکال به ورودی جریان در حالت گذرا ارائه شده است. اکثر مدل های ارائه شده برای این سیال مربوط به حالت پایدار سیال بوده و در مدل های معدودی که برای حالت گذرا ارائه شده ورودی جریان الکتریکی به صورت پله ای و نرخ برش ثابت فرض شده است. در مدلی که در این پژوهش برای حالت گذرای سیال مگنتورئولوژیکال توسعه داده شده، جریان الکتریکی ورودی به صورت تابع نمایی و ن...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2015
علی شکیبا مفید گرجی بندپی

در این مقاله، رفتار حرارتی و هیدرودینامیکی نانوسیال مغناطیسی (آب و 4% اکسید آهن) در یک مبدل حرارتی دولوله ای مستقیم افقی، تحت میدان مغناطیسی غیریکنواخت متقاطع با شدت های متفاوت به صورت عددی بررسی شده است. فروسیال به عنوان سیال گرم درون لوله داخلی و هوا به عنوان سیال سرد در لوله بیرونی درنظر گرفته شده و هر دو سیال در رژیم جریان آرام با جریانی غیر همسو می باشند. میدان مغناطیسی ذکر شده توسط سیم حا...

جریان آرام تراکم ناپذیر سیال غیر نیوتنی روی یک صفحه کشسان متحرک، در حضور یک میدان مغناطیسی یکنواخت مطالعه شده است. سرعت صفحه مشخص و در طول آن به صورت خطی تغییر می‌کند. به کمک تبدیلات تشابهی، دستگاه معادلات پاره‌ای حاکم بر جریان به یک دستگاه معادلات دیفرانسیل معمولی غیر خطی تبدیل و سپس توسط روش‌ عددی ارئه شده بر مبنای تفاضل محدود ، حل گردیده است. اثرات پارامتر‌های سیال، جریان و میدان مغناطیسی بر...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 0
عباس احسانی دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مکانیک امیر نجات دانشیار پردیس دانشکده های فنی دانشگاه تهران

در پژوهش حاضر، میکروپمپ الکترومغناطیسی جدیدی با دریچه های انعطاف پذیر و دیواره الاستیک نوسانی بر پایه ساز و کار یک طرفه جریان لنف معرفی شده است. میدان مغناطیسی متغیر با زمان، دیواره الاستیک مغناطیس شونده را تحریک می کند. دو دریچه منعطف به منظور یک طرفه کردن جریان سیال در ابتدا و انتهای میکروکانال نصب شده است. سیال استفاده شده در این تحقیق آب و عدد رینولدز در حالت بیشینه کمتر از 30 و عدد وومرزلی...

ژورنال: مهندسی مکانیک 2020

در این مقاله ابتدا توضیح مختصری از مفهوم کنترل جریان سیال و نحوه دسته‌بندی روش‌های مختلف آن داده شده است. در ادامه دو دسته مهم از عملگرهای کنترل جریانی مبتنی بر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی معرفی و نحوه عملکرد آن‌ها توسط نیروی لورنتس توضیح داده شده است. دسته اول که به عملگرهای الکتروهیدرودینامیک مشهور هستند، صرفا تحت تأثیر میدان  الکتریکی عمل می‌کنند. این عملگرها با استفاده از تخلیه الکتریکی و...

Journal: : 2023

در این مقاله سیستم تأمین انرژی و تخلیه جریان سیم‌­پیچ چنبره‌ای توکامک دماوند به منظور افزایش زمان میدان‌های مغناطیسی با هدف ماندگاری پلاسما، طراحی شبیه‌سازی شده است. حال حاضر سیم­‌پیچ دارای نیم سیکل سینوسی مدت ms 100 پیک kA 12 است که میدان مغناطیس تقریباً T 1/1 مرکز چنبره تولید می‌کند ناحیه تخت آن حدود 20 می‌باشد برای تشکیل محصورسازی پلاسما استفاده می‌گردد. ارتقاء 200، ضروری سیستم‌های کنترل مربو...

ژورنال: :مکانیک سازه ها و شاره ها 0
عظیم سعیدی فارغ التحصیل کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی سیروس آقانجفی استاد، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

در این مقاله اثر میدان مغناطیسی غیریکنواخت بر توزیع دما و توزیع سرعت درون لایه مرزی برای جریان عبوری از روی صفحه ای افقی و متحرک با استفاده از حل تشابهی بررسی شده است. میدان مغناطیسی بصورت غیریکنواخت و متغیر در نظر گرفته شده و فرض شده است که سیال توسط دیواره و با سرعتی متغیر مکیده می شود. سرعت جریان سیال در خارج از لایه مرزی هم متغیر و تابعی از x در نظر گرفته شده است. برای تحلیل این مسأله، معاد...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید