مقدمه: ایجاد جریان​های اسپینی به​وسیلۀ اعمال گرادیان دما توجه دانشمندان زیادی را به​خود جلب​کرده است. زمینۀ اسپینترونیک از اسپین​الکترون برای ذخیره و پردازش اطلاعات استفاده می​کند و اسپین​کالریترونیک، جریان​های اسپینی را به حرارت مرتبط می​سازد. ما از DNA به​عنوان مولکولی آلی برای بررسی پدیدۀ اسپین​کالریترونیک استفاده کرده​ایم. در مطالعۀ حاضر به​منظور ایجاد گرادیان دما از لیزر مادون قرمز استفاده...

ما خواص ترابرد بار و اسپین مربوط به اتصال جوزفسون sns در حد تمیز (ابررسانای سه تایی -فلز نرمال - ابررسانایی سه تایی) را با استفاده از معادلات نیمه کلاسیکی آیلنبرگر به دست می آوریم. سیستم ما شامل دو بلور ابررسانای اسپین سه تایی p-wave می باشد که به وسیله یک نانو لایه مس از همدیگر جدا شده اند. اثر ضخامت لایه فلز بین دو ابررسانا روی جریان اسپین و بار را بررسی می کنیم. موضوع دیگر بحث ما در این مقال...

در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...

در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین به بررسی جریان با قطبش اسپینی در نقاط کوانتومی 24 و 54 اتمی فسفرینی شش‌گوشی با لبه‌ی زیگزاگ پرداخته‌ایم. با این فرض که تمام الکترون‌های ورودی به ساختار نقطه‌ی کوانتومی فسفرین دارای اسپین بالا باشند، با انتخاب مناسب میدان الکتریکی که از خارج توسط یک ولتاژ گیت کنترل می‌شود، می‌توان یک جریان خروجی با قطبش اسپینی دلخواه داشت به‌ویژه شرایطی وجود دارد که می‌تو...

در این پایان نامه با بدست آوردن توابع گرین به کار گرفته شده در معادله ی آیلنبرگر، جریان بار و اسپین و همچنین چگالی حالت های دو سامانه ی مقیاس نانو 1- ابررسانای اسپین-سه تایی/ فلز عادی/ ابررسانای اسپین-سه تایی و 2- ابررسانای اسپین-سه تایی/ لایه ی فرومغناطیس/ ابررسانای اسپین-سه تایی به دست می آیند. بدین گونه که معادله ی آیلنبرگر برای لایه های ابررسانا و عادی و فرومغناطیس به صورت جداگانه حل می کنی...

در سال های اخیر، برهم کنش اسپین-مدار در ساختارهای نیمه رسانا به دلیل کاربرد بالقوه در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیمه رساناهای متداول دو نوع برهم کنش اسپین-مدار وجود دارد. یکی برهم کنش اسپین-مدار درسل هاوسکه به واسطه بی تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی-سولفید) ایجاد می شود و دیگری برهم کنش اسپین-مدار که ناشی از بی تقارنی وارون...

در یکی از شاخه های نانوالکترونیک که با اسپین سروکار دارد(اسپینترونیک) هدف و چالش اصلی تولید جریان اسپین قطبیده است. یکی از طرح های پیشنهادی برای تولید جریان اسپینی روش پمپاژ اسپینی ( spin pumping ) نامیده می شود. در این روش تغیرات وابسته به زمان چند پارامتر سیستم به صورت دوره ای در القای دینامیک اسپین و تولید جریان اسپینی نقش ایفا می کنند. مسئله مورد برسی ترابرد مزوسکوپی و بی درروی اسپی...

اسپینترونیک یکی از زمینه¬های نوظهور علم نانو است که هدفش مطالعه نقش اسپین الکترون در فیزیک ماده چگال می¬باشد. در این پایان نامه به بررسی دو شاخه جدید اسپینترونیک می¬پردازیم. در بخش مدارهای اسپینی، هدف محاسبه اندازه جریان اسپینی در دو مدار اسپینی π و t شکل با در نظرگرفتن دو نانوکانال غیرمغناطیسی متفاوت از جنس طلا و مس می¬باشد. بر اساس نتایج بدست آمده در این پایان¬ نامه جریان اسپینی شاخه سری با ک...

موفقیت معادله دیراک مرتبه اول در توصیف نسبیتی ذرات اسپین ‎1/2‎‏‎‎‎‎‎‎ برخی را ترغیب نمود تا معادله مشابهی برای ذرات اسپین صفر و اسپین 1 بیابند. بیش از 70 سال پیش چنین معادله ای توسط ‎دافین‎‎‏،‎‎‎‎‎‎ کِمِر‎‎‏ و پِتیو‎(dkp)‎ پیشنهاد شد. معاد‎له dkp‎ تعمیم مستقیم معادله دیراک به ذرات با اسپین صحیح است که در آن ماتریس های گاما‎‎ با ماتریس های بتا‎ جایگزین شده اند که در جبر پیچیده تری که به عنوان جب...

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات سیلیسنی سیلیسن نرمال / سیلیسن فرومغناطیس / سیلیسن نرمال که یک الکترود به سیلیسن فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از سیلیسن فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با طول سیلیسن فرومغناطیس رابطه دارد و قابل تنظیم باولتاژ گیت است. به طور خاص یک جریان اسپین به دست می آوریم که...