منظور از دو(چند)پایایی نوری، حالتی است که در آن دو(چند) شدت خروجی پایدار متفاوت برای یک شدت ورودی معین ممکن می شود. خاصیت دوپایایی نوری، یکی از اصول مهمی است که در ساخت ترانزیستورها، کلیدها، مدارهای منطقی، حافظه ها و ... به کار گرفته می شود. قابلیت کنترل پذیری سیستم های همدوس نظیر سیستم های گازی، این امکان را ایجاد کرده است که بتوان آستانه ی دوپایایی نوری را در شدت های پایین کنترل کرد. از طرفی ...

تعیین ساختار و ابعاد نانوذرات مغناطیسی سنتز شده و نیز بررسی ریخت شناسی نانوکامپوزیت های حاوی نانوذرات مغناطیسی همواره مورد توجه پژوهشگران بوده است. یکی از روش های مناسب شناسایی مواد شیمیایی، استفاده از میکروسکوپ نیروی مغناطیسی مجهز به کاوند مغناطیسی است. در این پژوهش یک روش آسان و تکرارپذیر برای ساخت کاوند میکروسکوپ نیروی مغناطیسی با استفاده از نانولوله کربنی چند دیواره به روش دی الکتروفورزیس ت...

برای مطالعه پلاسما در سیستم های مختلف دستگاه های تشخیصگر مختلفی متناسب با سیستم مورد نظر استفاده می شود. برای مطالعه میدان مغناطیسی حاصل از پلاسما نیاز به سیستمی است که به طور مستقیم با پلاسما در تماس باشد و به سبب سادگی ساختار پروب مغناطیسی استفاده از آن بسیار معمول می باشد. اگر چه تماس مستقیم پروب با پلاسما موجبات ایجاد اختلال در پلاسما فراهم می آورد اما می توان با طراحی و ساخت بهینه این سیست...

با استفاده از محاسبات تابع چگال جذب هیدروژن بر روی نانولوله سیلیکون کربید تحت میدان های الکتریکی در گستره های 0 تا 0/015 a.u. و 0 تا a.u. 0/025 به ترتیب در عرض و طول نانولوله بررسی شده است. هنگامی که هیدروژن در راستای میدان الکتریکی قرار می گیرد در هر دو جهت مثبت و منفی با افزایش میدان الکتریکی انرژی جذب افزایش می یابد. انرژی جذب در راستای عرضی و جهت مثبت هنگامی که میدان a.u 0/015 اعمال می شود ...

با استفاده از محاسبات تابع چگال جذب هیدروژن بر روی نانولوله سیلیکون کربید تحت میدان های الکتریکی در گستره های 0 تا 0/015 a.u. و 0 تا a.u. 0/025 به ترتیب در عرض و طول نانولوله بررسی شده است. هنگامی که هیدروژن در راستای میدان الکتریکی قرار می گیرد در هر دو جهت مثبت و منفی با افزایش میدان الکتریکی انرژی جذب افزایش می یابد. انرژی جذب در راستای عرضی و جهت مثبت هنگامی که میدان a.u 0/015 اعمال می شود ...

تعیین ساختار و ابعاد نانوذرات مغناطیسی سنتز شده و نیز بررسی ریخت‌شناسی نانوکامپوزیت‌های حاوی نانوذرات مغناطیسی همواره مورد توجه پژوهشگران بوده است. یکی از روش‌های مناسب شناسایی مواد شیمیایی، استفاده از میکروسکوپ نیروی مغناطیسی مجهز به کاوند مغناطیسی است. در این پژوهش یک روش آسان و تکرارپذیر برای ساخت کاوند میکروسکوپ نیروی مغناطیسی با استفاده از نانولوله کربنی چند دیواره به روش دی الکتروفورزیس ت...

با توجه به اینکه در ابررساناها اندازه گیری دمای بحرانی مهم ترین و اولین پارامتر ابررسانایی است، در این پژوهش دستگاه چهارسوزنی که یکی از متداولترین تکنیک های اندازه گیری دمای بحرانی است طراحی و ساخته شد. ضمنا نمونه نانو ذرات ابررسانای ybco به روش حالت جامد برای بررسی عملکرد دستگاه ساخته شد. اساس کار دستگاه چهارسوزنی، پروب های آن می باشد که از دو پروب بیرونی جریان عبور می کند و افت ولتاژ بین دو ...

ابرشبکه یک نیمرسانای شبه دوبعدی است که از تکرار متوالی دو لایه نازک نیمرسانا با گاف انرژی متفاوت شکل می گیرد. تکنیک ساخت آن ها بروش اپیتکسی باریکه مولکولی (mbe) می باشد متداولترین آنها، ابرشبکه های alxga1-xas/gaas می باشد که gaas بعنوان چاه کوانتومی و algaas نیز سد پتانسیل می باشد. نامتجانس بودن گاف انرژی سبب تشکیل پتانسیل دوره ای می شود و این پتانسیل نیز سبب ساختار باند انرژی بخصوصی می شود که ...

زمینه و هدف: بررسی دوز جذبی بیماران در آزمون های مختلف می تواند اطلاعات مفیدی را در جهت تخمین ریسک پرتونگاری به دست دهد. در این مطالعه میزان دوز جذب سطحی بیماران در آزمون های cbct، سی تی اسکن اسپیرال و سی تی اسکن معمول مقایسه گردید.روش بررسی: به منظور اجرای این مطالعه تجربی، تعداد 81 عدد تراشه tld کالیبره شده مورد استفاده قرار گرفت. به منظور تخمین دوز جذب سطحی نواحی مرکزی میدان تابشی، ناحیه تیر...