مسیرهای الکترون در لیزر الکترون آزاد با میدان ویگلر مارپیچی واقعی و کانال یونی راهنما تجزیه و تحلیل شده و حالتهای پایدار و ناپایدار مدار الکترونی به دست آمده است. نتایج نشان می دهند پایداری مسیرهای الکترون (تک الکترون) در ویگلر مارپیچی واقعی که در فضای سه بعدی مورد بررسی قرار می گیرد در مقایسه با ویگلر مارپیچی ایده آل که در مختصات دو بعدی قبلا به دست آمده است اختلاف دارد. این موضوع مورد بحث قرا...

در این پایان نامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه ی کوانتومی سیلیکونی (جزیره-ی نیمه هادی) و قابل استفاده در دمای اتاق را مدل سازی کنیم. که در این راستا، اثرکوانتیده شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه هادی (نقطه کوانتومی) دراثرکوچک بودن اندازه جزیره(کوچکتراز10نانومتر) وهم چنین اثر پهن شدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه ی کوانتومی با کنتاکت های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مو...

در این مقاله، هدف بررسی میزان نفوذ الکترون در بافت گردن و برآورد دز در این بافت است. برای این کار، از فانتوم گردن شبیه سازی شده توسط کد mcnpx نسخۀ 6/2 استفاد شده است. فانتوم مورد نظر شامل لایۀ پوست، چربی زیر پوست، بافت گردن، استخوان گردن و غدۀ تیروئید است. چشمۀ پرتوی بیرون فانتوم، نزدیک سطح پوست و در ناحیۀ پشت گردن قرار گرفته است و الکترون های تک انرژی به صورت عمود بر سطح پوست تابیده می شوند. م...

در این مقاله شتاب الکترون در یک کانال یونی با استفاده از یک موج پلاسمای مغناطیده مطالعه شده است. با استفاده از معادلات لورنتس سه بعدی، دینامیک الکترون مورد بررسی قرار گرفته و برای به دست آوردن مسیر الکترون از یک کد تک ذره سه بعدی نسبیتی استفاده شده است. نتایج محاسبات عددی نشان می دهد الکترون در یک کانال یونی تحت اثر میدان خارجی شتاب می گیرد. همچنین میزان انرژی که الکترون در حضور میدان مغناطیسی ...

دراین پایان نامه خواص ترابردی نیمرسانای ‏‎gaas‎‏ از نوع ‏‎p‎‏ مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل سه نمونه نیمرسانایی ‏‎gaas‎‏ هستند به ترتیب با عناصر ‏‎cr‎‏، ‏‎fe‎‏ و ‏‎co‎‏ آلاییده شده اند. این ناخالصی ها ناهمگنی زیادی را در شبکه ‏‎gaas‎‏ به وجود می آورند و از این لحاظ مکانیزم پراکندگی خاصی را برای حاملین بار در ‏‎gaas‎‏ ایجاد می کنند. در این کار تجربی رسانندگی الکتریکی، م...

در این پایان نامه، با بهره گیری از ویژگی های ترانزیستورset، ساختار جدیدی برای مبدل آنالوگ به دیجیتال مبتنی بر ساختار folding ارائه می شود و با مقایسه بین ساختار پیشنهادی و ساختارهای پیشین مشاهده می شود که فرکانس نمونه برداری بهبود یافته و از طرف دیگر تلفات توانی و تعداد اجزا به کار گرفته شده در ساختار کاهش چشم گیری داشته است. البته با به کار گیری مدار ترکیبی set/cmos در ساختار پیشنهادی شاهد بهت...

به منظور محاسبه­‌ی طیف انرژی باریکه­‌ی الکترونی با استفاده از منحنی دز- عمق از یک روش ابتکاری استفاده شد. توزیع دز- عمق باریکه­‌ی الکترونی با انرژی­‌های اولیه‌­ی متفاوت حاصل از یک شتاب­دهنده­‌ی الکترون پس از عبور از یک صفحه‌­ی سربی پراکننده، با استفاده از دزیمتر اتاقک یونش با صفحه‌­های موازی کنترل شونده با کامپیوتر در داخل فانتوم آب اندازه­‌گیری شد. منحنی­‌های دز- عمق حاصل از الکترون­‌ها به عنو...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...