چکیده ندارد.

محاسبات ابتدا به ساکن خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ترکیب ابررسانای فرومغناطیسی rusr2gdcu2o8 با استفاده از روش fp-lapw در چارچوب نظریه تابعی چگالی محاسبه شد. فشار هیدرواستاتیکی تا 6 گیگا پاسکال با تغییر حجم سلول واحد با ثابت نگه داشتن نسبت a:b:c اعمال شد. نتایج بهینه سازی پارامترهای درونی نشان داد که یک تنش صفحه ای در صفحات ru-o وجود دارد که منجر به چرخش های غیر همفاز هشت وجهی های ruo6 در س...

دراین پژوهش نانو ذرات نیم­رسانای اکسید روی رقیق شده با یون منگنز­ ­­به ­روش سل- ژل خود احتراقی با فرمول کلی zn1-x mnxo (x = 0,0, 0.03, 0.05, 0.07, 0.1) تهیه شد. تک فاز بودن همه­ی نمونه­ها ­و ­اندازه­ی بلورک­ها به کمک پراش پرتو ایکس و رابطه­ی شرر و بیناب فروسرخ فوریه مورد تایید قرار گرفت. اندازه­ی ذرات­­ با میکرسکوپ الکترونی عبوری در حد چندنانومتر براورد شد. بیناب­های فروسرخ نمونه­ها ( ftir) نشا...

ذرات جاذب نانومغناطیس در ابعاد nm100-1 برای فرایند جداسازی مغناطیسی به‌کار می‌روند که آنها را بنابر خواص مغناطیسی‌شان، به گروه‌های: فرومغناطیسی، فری مغناطیسی، پاد فرومغناطیسی، دیامغناطیسی و پارامغناطیسی تقسیم‌بندی می‌کنند؛ که به علت برخورداری از نسبت سطح به حجم زیاد دارای انرژی فراوانی‌اند و به کاهش سطح انرژی خود گرایش دارند. در نتیجه، دارای ظرفیت زیاد بارالکتریکی و محدودیت پراکندگی‌اند. نانوذر...

تقریب پتانسیل همدوس برای مطالعه اثر حاملهای بار روی دمای کوری، tc، نیمه رساناهایی مانند euo و eus استفاده شده است . ما از تئوری میدان میانگین تعمیم یافته برای افت و خیز -fاسپینها. از مدل ونسووسکی برای بررسی کنش الکترونهای رسانش با اسپینهای جایگزیده استفاده می کنیم. تغییر در tc در نتیجه جفت شدگی غیر مستقیم اسپینهای جایگزیده از طریق الکترونهای رسانش ، بصورت یک تابع از چگالی حاملها تعیین می شود. ن...

پدیده فرورزونانس در شبکه ها و مدارهای الکتریکی شامل سیم پیچی با هسته فرومغناطیسی و خازن سری با آن رخ می دهد. اشباع هسته و درنتیجه تغییر اندوکتانس سیم پیچی ناشی از این اشباع شرایط مناسب بروز این پدیده را فراهم می کند. با توجه به وجود هسته مغناطیسی در بسیاری از تجهیزات الکتریکی و احتمال اشباع آن در پی بروز عیب و در شرایط اضطراری، بروز پدیده هنگام بهره برداری امکان پذیر خواهد بود. یکی از نیازهای ا...

اسپینترونیک فصل مشترک مغناطیس و الکترونیک است. پایه اصلی اسپینترونیک ها استفاده صحیح از جریان های اسپینی در حضور جریان های الکتریکی اصلی، است. امروزه استفاده ازاسپین الکترون باعث ایجاد توانایی ها و ظرفیت های جدیدی در وسایل الکتریکی و الکترواپتیکی می شود. تولید نیم رساناهای مغناطیسی رقیق یک روش مهم برای بکارگیری هم زمان اسپین و بار الکترون، و ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در مواد اکسیدی است. اخیراً، چن...

توده گرانیتوئیدی ظفرقند با وسعت تقریبی 80 کیلومتر مربع با سن اوایل تا اواسط میوسن و طیف ترکیبی گابرو تا تونالیت، در 35 کیلومتری جنوب شرق اردستان رخنمون دارد. این توده نفوذی درون سنگ های آتشفشانی و آتشفشانی-رسوبی ائوسن پهنه ساختاری ارومیه -دختر نفوذ کرده است. برای نخستین بار، تغییرات ناهمگنی پذیرفتاری مغناطیسی (ams) در توده گرانیتوئیدی ظفرقند با روش ناهمگنی پذیرفتاری مغناطیسی بررسی شده است. بر م...

در این پایان نامه با استفاده از رهیافت ماتریس پراکندگی، رسانندگی را در اتصالات مزوسکوپی بررسی کرده ایم. از فرمول بندی لاندائور – بوتیکر برای محاسبه ی جریان و رسانندگی سیستم ها استفاده کرده ایم. در اتصالات شامل ابررسانا و فرومغناطیس از معادله ی بوگولیوبوف د‍ژن استفاده شده است و فرض کرده ایم که انرژی شبه ذرات نسبت به سطح انرژی فرمی، صفر است. در کل پایان نامه، تقریب دمای صفر را در نظر گرفته ایم و ...