یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

در این رساله، برای محاسبه بهره و ضریب نویز اضافی افزاره آشکارساز نوری بهمنی مدلی ارائه کرده ایم که تابع توزیع طول یونیزاسیون برخوردی در ناحیه تکثیر همگون و ناهمگون را با دو بخش خطی و نمایی تقریب می زند. بر اساس این مدل، چگونگی توزیع طول یونیزاسیون برخوردی به ازای مقدارهای مختلف شدت میدان الکتریکی، کسرهای مولی و مکان پیوند ناهمگون را محاسبه می کنیم. این مدل علاوه بر سادگی و قابلیت گسترش به سایر ...

در این پژوهش، با استفاده از آهنگ حامل های الکتریکی در ناحیه تکثیر به شبیه سازی جریان نوری و بهره آشکارساز نوری بهمنی پرداخته شده است. با در نظر گرفتن سازوکارهای مهمی مانند جذب نور، بازترکیب، یونیزاسیون برخوردی و رانش الکتریکی برای هر سلول مکانی یک ماتریس 2×2 تعریف می شود که حاصل ضرب این ماتریس ها، تکثیر پی در پی حامل ها را مدل می کند. مدل ارائه شده تا حدودی ساده است و به سادگی همگرا می شود. مقا...

در این پژوهش، یک مدل رانش- نفوذ ارائه شده است که می تواند برخی پارامترهای آشکارساز نوری بهمنی مانند جریان تاریک، جریان نوری و بهره را با دقت قابل قبولی محاسبه کند. در این مدل دسته معادله های پواسون، چگالی حامل الکتریکی و پیوستگی حامل الکتریکی به صورت همزمان حل شده است. در نظر گرفتن سازوکار یونیزاسیون برخوردی باعث شده است که مدل ارائه شده بتواند حرکت حامل ها در میدان الکتریکی قوی را نیز شبیه ساز...

در این پژوهش، از مدل مونتکارلو تک ذرهای برای محاسبه سرعت الکترون در نیمرسانای gaas و از مدل مونتکارلو تجمعی برای بررسی دیود n-i-n استفاده شده است. سرعت الکترون در دماهای بین 77 تا 300 درجه کلوین نیز بررسی شده است. همچنین ضریب یونیزاسیون برخوردی الکترون برای ترکیبهای نیم رسانای gaas و alxga1-xas با کسرهای مولی 0.2، 0.3 و 0.4 با در روش مونتکارلوی تجمعی و تک ذرهای به دست آمده است که با دادههای عمل...

به دلیل رخ دادن سازوکار یونیزاسیون برخوردی در آشکارساز نوری بهمنی، این افزاره دارای بهره جریان است. وجود بهره باعث می شود تا آشکارسازی و تقویت جریان همراه با یکدیگر انجام شود و بنابراین نیازی به مدارهای اضافی مربوط به تقویت کنندگی نباشد. یونیزاسیون برخوردی سازوکاری مهم در آشکارساز نوری بهمنی است. در نتیجه، برای تحلیل رفتار آشکارساز نوری بهمنی باید روشی مناسب انتخاب کنیم تا بتوان چنین پدیده ای ر...

در این پایان نامه ، یک مدل واحد پیوسته براساس فیزیک افزاره و پتانسیل سطحی برای مشخصه ‏‎i-v‎‏ ماسفتهای تمام و نیمه تخلیه ای ‏‎soi‎‏ ارائه شده است که به طور خودکار، براساس میزان تخلیه بدنه، حالت کار افزاره را تعیین کرده و مشخصه جریان-ولتاژ را محاسبه می کند. اثرات مقیاس کوچک مانند مدولاسیون طول کانال ‏‎clm‎‏، کاهش سد پتانسیل القا شده توسط درین(‏‎dibl‎‏) ، اثرات میدانهای شدید بر روی قابلیت حرکت و ا...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه می­شود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+  امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...