ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخ...

در این مقاله ساختاری نوین برای  طراحی و ساخت هیدروفن‌های حساس باندپهن فرکانس پایین ارائه شده است. ساختار پیشنهادی از یک ترانزیستور با گیت معلق تشکیل شده‌است. با برخورد امواج آکوستیکی به گیت معلقی که روی یک ترانزیستور اثر میدانی قرار دارد، فاصله بین گیت و کانال ترانزیستور و به‌تبع آن ظرفیت خازنی معادل بین گیت و کانال ترانزیستور تغییر می‌کند که این امر به تغییر در جریان و ولتاژ خروجی ترانزیستور م...

چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

در این مقاله یک ساختار جدید ترانزیستور دو قطبی بر اساس وارونگی سطحی ارائه می­شود. در این ساختار پیوند کلکتور-بیس یک پیوند متداول p-n است، اما ناخالصی امیتر حذف شده است. به عبارت دیگر ترانزیستور فقط با استفاده از دو ناحیه n و p طراحی شده است. با اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+  امیتر توسط وارونگی سطحی در داخل ناحیه بیس تشکیل می شود. شبیه سازی نشان می دهد ترانزیستور ارائه...

در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانس‌های پایین طراحی و شبیه‌سازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس می‌شود. در نتیجه موج آکوس...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

ویژگی‌های بردها و ریزنوارها (خطوط میکرواستربپ) تأثیر تعیین‌کننده‌ای در پدیده تداخل و القای امواج الکترومغناطیسی بر روی بردهای الکترونیکی دارند. در این مقاله اثر تغییر مشخصات فیزیکی خطوط هادی و برد‌های مدار چاپی با تابش یک پالس الکترومغناطیسی ذوزنقه‌ای به صورت سه بعدی با روش مشتقات محدود در حوزه زمانFDTD شبیه‌سازی شده است. اندازه طول و عرض یک ریزنوار و ضخامت فیبر مدار چاپی از جمله مواردی است که...