ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

چکیده : در این پایان نامه، ما یک ترانزیستور soi ldmos جدید به منظور بدست آوردن ولتاژ شکست بالا ارائه کرده ایم. ساختار پیشنهادی از چندین چاه n و p+ که به صورت پریودیک در اکسید مدفون قرار گرفته اند، شکل گرفته است. بنابراین ما ساختار پیشنهادی را ترانزیستور با چاه های چندگانه (mdw-ldmos) نامیدیم. ایده کلیدی در این کار افزایش میدان الکتریکی در لایه اکسید مدفون و بهینه کردن میدان الکتریکی در ناحیه...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است. برای غلبه بر این مشکل و ایجاد گاف درساختار الکترونی صفحه گرافین به نوار¬های باریک، نقاط کوانتومی و حلقه¬های کوانتومی ...

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...