رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...

. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نا...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

موضوع مورد مطالعه یک سنسور گلوکز است که با استفاده از یک isfet با فناوریotft ساخته می شود. این سنسور در حقیقت یک ترانزیستور می باشد که با جانشانی یونهای گلوکز روی گیت آن (به طریقی خاص) ولتاژ لازم برای روشن شدن ترانزیستور فراهم می شود و بسته به میزان یونهای گلوکز و ولتاژ ایجاد شده روی گیت، اندازه گیری مقدار گلوکز از طریق جریان درین ممکن خواهد بود، زیرا دقت اندازه گیری با جریان به مراتب بیشتر از ...

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کرب...

اکسید روی (zno) با ترکیب عناصر گروه ii-vi در زمره نیمرساناهای با گاف نواری مستقیم و پهن (ev37/3) بشمار می آید. این ویژگی اهمیت زیادی نه تنها در قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی در قطعات اپتوالکترونیکی، نظیر دیودهای نورگسیل و دیود لیزرهای آبی و بنفش، همچنین آشکارسازهای نوری نیز دارد. به کارگیری این ماده در این قطعات مستلزم تهیه آن به صورت تک بلوری می باشد. این موضوع همچنان مسئله ا...

در این پژوهش سعی شده است تا کارایی افزاره ترانزیستور اثر میدانی (fet ) در تماس با بیومارکرهای سرطانی و تشخیص آنها مورد بررسی قرار گیرد. لذا با مدل سازی کانال نانولوله کربنی در نرم افزار virtual nanolab ضمن بررسی تأثیر آنتی ژن ها و آنتی بادی انواع سرطان ها بر ویژگی های ساختار شیمیایی والکترونیکی کانال، تغییرات مقادیر خازنی کانال و پارامترهای کنترل گیت و درین را بدست می آوریم. سپس با استفاده از ا...

نمونه­های پودری نانوکامپوزیت دورگه­ای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجه­ی سانتی­گراد سنتز شده­­­­­اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگی­های نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بیناب­سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونه­ها با استفاده از روش gps 132 a مح...