بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

نانولوله‏ها با خواص منحصر به فرد مکانیکی، الکتریکی و اپتیکی جایگزین مناسبی برای بیشتر مواد به کار رفته در صنعت می‏باشند. تاکنون نانولوله‏هایی از جنس‏های مختلف از جمله کربن، گالیوم نیترید، سیلیکن کاربید، روی اکسید، آلومینیوم نیترید و بور نیترید ساخته شده اند که امروزه از میان آن ها نیم رساناهای نیتروژن‎ دار به دلیل ویژگی های منحصر به فرد، بیش تر توجه محققین را به خود جلب کرده است و از آن جا که ا...

با توجه به اهمیت مواد ایندیوم گالیوم نیترید و خصوصا کاربرد وسیع آنها در ساختارهای نورتاب، در این تحقیق، به مطالعه مواد ایندیوم گالیوم نیترید و بررسی ساختارهای نورتاب ( لیزر دیودها و دیودهای نورتاب ) با پایه ایندیوم گالیوم نیترید پرداخته ایم. به این منظور، سعی شده ابتدا شناخت و اطلاعاتی مفید از ماده، فرایندهای رشد و خواص آن فراهم آوریم و در ادامه با هدف شناخت، ساخت و افزایش کارایی، دیودهای نورتا...

نانولوله‏ ها با ویژگی های منحصر به فرد مکانیکی، الکتریکی و اپتیکی جایگزین مناسبی برای بیشتر مواد به کار رفته در صنعت می‏باشند. تاکنون نانولوله ‏هایی از جنس‏ های مختلف از جمله کربن، نیترید گالیوم ، کاربید سیلیکن ، اکسید روی ، نیترید آلومینیوم و نیترید بور ساخته شده اند که امروزه از میان آن ها نیم رساناهای نیتروژن‎ دار به دلیل ویژگی های منحصر به فرد، بیش تر توجه محققین را به خود جلب کرده است و از...

در این پژوهش ویسکرهای نیترید آلومینیوم (aln) در کوره لوله ای تحت جریان 500 گاز نیتروژن در دمای c˚1000 با یک ساعت ماندگاری در این دما تهیه شدند. مواد اولیه شامل آلومینیوم (al) با اندازه ذرات 3 میکرومتر و 45 میکرومتر و کلرید آمونیوم (nh4cl) بود. برای بررسی ویسکرهای نیترید آلومینیوم، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) و پراش اشعه x (xrd) به کار گرفته شدند. بررسی یافته ه...

در این پروژه ساختار نانو لوله های آرمچیر (4و4) و (5و5) و نانو لوله ی زیگزاگ (0و6) با دستور b3lyp/6-31g* بهینه شد.در بور نیترید های آرمچیر اتم گالیوم جایگزین b52 و در بور نیترید زیگزاگ جایگزین b42 شده است.جذب گاز نیتروژن در چهار موقعیت مختلف، جذب از بیرون نانو لوله با زاویه های 0 و 90 درجه و جذب از داخل نانو لوله با زاویه های 0 و 90 درجه روی بور نیترید آرمچیر(4و4) و زیگزاگ (0و6) در حالت خالص و ج...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

برای یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول خردل (mu) که یکی از عوامل تاول­زا می ­باشد، در این پژوهش رفتار جذب مولکول خردل بر روی سطح خارجی نانولوله­ های آلومینیوم ـ نیترید زیگزاگ (4،0)، (5،0) و (6،0) با استفاده از روش نظریه­ ی تابعی دانسیته(dft) مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه­ سازی ساختاری در سطح نظری**311-6/lyp3b اجرا شد. فاصله ­های تعادلی، انرژی جذب، گشتاور دوقطبی، انرژی بالاترین اوربیتال مولکول...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...